"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Термическая стабильноcть многослойных контактов, сформированных на GaN
Беляев А.Е.1,2, Болтовец Н.С.1,2, Иванов В.Н.1,2, Конакова Р.В.1,2, Кудрик Я.Я.1,2, Литвин П.М.1,2, Миленин В.В.1,2, Свешников Ю.Н.1,2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина ЗАО "Малахит-Элма", Москва, Россия
Email: konakova@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 8 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Представлены результаты исследований новой системы металлизации невыпрямляющих контактов к n-GaN. Контактная металлизация включает слои Au(200 nm)-Ti(TiBx)(100 nm)-Al(20 nm)-Ti(50 nm). В качестве диффузионного барьера использован слой TiBx. Показано, что контакты с диффузионным слоем TiBx сохраняют слоевую структуру и электрофизические параметры до температуры 700oC, тогда как контактная система Au-Ti-Al-Ti деградирует после быстрой термической обработки при T=700oC. Повышение температуры обработки до 900oC приводит к "размытию" слоевой структуры контакта Au-TiBx-Al-Ti-GaN. Рассмотрены физические причины, обусловливающие изменение параметров подобных контактных систем.
  1. Markoc H. Nitride Semiconductors and Devices. Springer. 1999
  2. Kordos P. // The Third International Euroconference on Advanced Semiconductor Devices. ASDAM, 2000. P. 47
  3. Shur M.S. // Solid-State Electronics. 1998. V. 42. N 12. P. 2131
  4. Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. N 7. С. 769
  5. Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наук. думка, 1981. 339 с
  6. Данилин В.Н., Докучаев Ю.П., Жукова Т.А. и др. Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN / Обзоры по электронной технике. М.: ГУП НПП "Пульсар", 2001. Сер. 1. B. 1. 137 с
  7. Lin Q.Z., Lau S.S. // Solid. State Electronics. 1998. V. 42. N 2. P. 677
  8. Saparna Pal, Takashi Sugino. // Appl. Surface Science. 2000. V. 161. P. 263
  9. Mohammad S. Noor. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 12. P. 7940
  10. Kaminska E., Piotrowska A., Guziewicz M. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. P. 1055
  11. Mohney S.E., Luther B.P., Wolter S.D. et al. // 4-=SUP=-th-=/SUP=- Int. High Temperature Electronics Conf. (HiTEC). Albuquerqui, USA. 1998. P. 134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.