Представлены результаты исследований новой системы металлизации невыпрямляющих контактов к n-GaN. Контактная металлизация включает слои Au(200 nm)-Ti(TiB_x)(100 nm)-Al(20 nm)-Ti(50 nm). В качестве диффузионного барьера использован слой TiB_x. Показано, что контакты с диффузионным слоем TiB_x сохраняют слоевую структуру и электрофизические параметры до температуры 700^oC, тогда как контактная система Au-Ti-Al-Ti деградирует после быстрой термической обработки при T=700^oC. Повышение температуры обработки до 900^oC приводит к "размытию" слоевой структуры контакта Au-TiB_x-Al-Ti-GaN. Рассмотрены физические причины, обусловливающие изменение параметров подобных контактных систем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.