"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетерополитипные структуры с квантовыми точками на основе SiC
Лебедев А.А.1, Петров В.Н.1, Титков А.Н.1, Сорокин Л.М.1, Трегубова А.С.1, Мосина Г.Н.1, Черенков А.Е.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Благодаря совершенствованию технологии сублимационного роста впервые были получены эпитаксиальные слои 3C-SiC политипа с массивом наноразмерных SiC островков. Рентгенотопографические (X-ray topography) и дифрактометрические (X-ray diffractometry) исследования однозначно свидетельствуют о том, что на поверхности подложки 6H-SiC вырос эпитаксиальный слой со структурой 3C-SiC политипа с областями в двойниковой ориентации друг к другу. Методами атомно-силовой микроскопии (АFM) и просвечивающей электронной микроскопии (TEM) исследованы топография поверхности и приповерхностная микроструктура эпитаксиального слоя соответственно. Выявлены наноостровки (квантовые точки) и определены их размеры и концентрация.
  1. Лебедев А.А., Мосина Г.Н., Никитина И.П., Савкина Н.С., Сорокин Л.М., Трегубова А.С. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 24. С. 57--63
  2. Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Кузнецов А.Н., Сорокин Л.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. С. 89--94
  3. Savkina N.S., Lebedev A.A., Davydov D.V., Strelchuk A.M., Tregubova A.S. et al. // Mat. Science \& Eng. 2000. B77. P. 50
  4. Лебедев А.А., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Сайдашев И.И., Кузнецов А.Н., Черенков А.Е. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 10. С. 1236--1238
  5. Cockayne B. et al. // Instr. Phys. Conf. Ser. N 192: Section 10. Paper presented at Microsc. Semicond. Mat. Conf. Oxford, 25--28 March 2001. P. 376

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.