Вышедшие номера
Твердотельный автоэмиссионный диод
Беспалов В.А.1, Ильичев Э.А.1, Кулешов А.Е.1, Мигунов Д.М.1, Набиев Р.М.1, Петрухин Г.Н.1, Рычков Г.С.1, Щербахин Ю.В.1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: edi144@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Представляются результаты экспериментальных исследований характеристик твердотельных автоэмиссионных диодов, впервые полученных на основе гетероструктур кремний/алмаз, с наноструктурированной гетерограницей.
  1. Vikulov N., Kichaeva N. // Electronica: NTB. 2008. N 5. P. 70
  2. Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // L. Vac. Sci. Technol. 2002. V. 20. P. 2080
  3. de Jonge N., Bonard J.M. // Philos. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. V. 362. P. 2239
  4. Ильичев Э.А., Инкин В.Н., Мигунов Д.М., Петрухин Г.Н., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Шкодин Д.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 4. С. 48--52

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.