Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 53
<<<>>>
Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
Дунаевский М.С.1,2,3, Алексеев П.А.1,2,3, Lepsa M.I.1,2,3, Gruetzmacher D.1,2,3, Титков А.Н.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Peter Grunberg Institute(PRI-9),Forschungszentrum Julich GmbH,, Julich and Julich Aachen Research Alliance for Fundamentals of Future Information Technology (JARA-FIT), Germany
Email: Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
PDF версия
Методом градиентной кельвин-зонд-микроскопии исследовалось распределение внешнего потенциала вдоль GaAs-нанопроводов со сформированными на концах электрическими контактами. Обнаружено, что в случае формирования контакта Шоттки приложение внешнего запирающего напряжения вызывает накопление вблизи контакта зарядов в поверхностном слое естественного окисла. Накопление зарядов существенно изменяет распределение потенциала вдоль GaAs-нанопровода. Накопление заряда и его диссипация после снятия напряжения происходят с характерными временами в несколько минут.
  1. Li Y., Xiang J., Quang F., Gradecak S., Wu Y., Yan H., Blom D.A., Lieber C.M. // NanoLett. 2006. V. 6. P. 1468
  2. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibiev N.V., Cirlin G.E., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205 325
  3. Thelander C., Martensson T., Bjork M.T., Ohlsson B.J., Larsson M.W., Wallenberg L.R., Samuelson L. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2052
  4. Semet V., ThienBinh Vu., Pauporte Th., Joulaud L., Vermersch F.J. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 054 301
  5. Wang Q., Li Q.H., Chen Y.J., Wang T.H., He C.L., Li J.P., Lin C.L. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 3654
  6. Girard P., Titkov A.N. // Applided Scanning Probe Methods. V. 2. Chap. 9 / B. Bhushan \& H. Fuchs. Heidelberg: Springer-Verlag, 2006
  7. Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A., Girard P., Lahderanta E., Lashkul A., Titkov A.N. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. P. 084 304
  8. Ладутенко К.С., Анкудинов А.В., Евтихиев В.П. // Письма в ЖТФ. 2010. V. 36. P. 71
  9. Kang C.J., Buh G.H., Lee S., Kim C.K., Mang K.M., Im C., Kuk Y. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 1815
  10. Buh G.H., Chung H.J., Kuk Y. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 79. P. 2010

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme