Вышедшие номера
Увеличение мощности излучения светодиодов (lambda=1.7-2.4 mum) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
Золотухин А.В.1, Шерстнев В.В.1, Савельева К.А.1, Гребенщикова Е.А.1, Серебренникова О.Ю.1, Ильинская Н.Д.1, Слобожанюк С.И.1, Иванов Э.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vic2sherstnev@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

На примере светодиодной гетероструктуры n-GaSb-n-GaInAsSb-p-GaAlAsSb было показано, что при создании на тыльной стороне светодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности в виде полусферических ямок травления наблюдается увеличение мощности излучения светодиодов в 1.9-2 раза во всем исследованном интервале длин волн 1.7-2.4 mum по сравнению с конструкцией светодиодного чипа, содержащего сплошной поглощающий омический контакт. Такое повышение эффективности светодиода происходит за счет изменения направления световых потоков в кристалле при отражении их от полусферических ямок травления кристалла.