Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 9 » Статья стр. 96
<<<>>>
Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III-N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
Нечаев Д.В.1, Жмерик В.Н.1, Мизеров А.М.1, Копьев П.С.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nechayev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
PDF версия
Приводятся результаты статистического анализа картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) для определения значений латеральной постоянной решетки ( a) слоев в гетероструктурах (ГС) широкозонных соединений (Al, Ga, In)N в процессе их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определено, что погрешность метода изменяется от минимального значения 0.17% до нескольких процентов в зависимости от контрастности изображений ДОБЭ, которая определяется стехиометрическими условиями роста. Демонстрируются возможности регистрации релаксации упругих напряжений при росте короткопериодных сверхрешеточных структур GaN(4 nm)/AlN(6 nm)30/AlN.
  1. Morkos H. // Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. 2008. V. 1
  2. Mizerov A.M., Jmerik V.N., Yagovkina M.A., Troshkov S.I., Kop'ev P.S., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 323. P. 68
  3. Ambacher O., Majewski J., Miskys C. et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2002. V. 14. P. 3399
  4. Takagi S. // J. Phys. Soc. Jpn. 1969. V. 26. P. 1239
  5. Stoney G. // Proc. Soc. London. 1909. Ser. A. V. 82. P. 172
  6. Zhao Z.B., Hershbergerb J., Yalisovec S.M., Bilelloc J.C. // Thin Solid Films. 2002. V. 415. P. 21
  7. Xiao X., Schleh D. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 013 508
  8. Jeremy D. Acord, Ian C. Manning, Xiaojun Weng, David W. Snyder, Joan M. Redwing // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 111 910
  9. Barlett D., Snyder C.W., Orr B.G., Clarke R. // Rev. Sci. Instrum. 1991. V. 62. P. 1263
  10. Bellet-Amalric E., Adelmann C., Sarigiannidou E., Rouviere J.L., Feuillet G., Monroy E., Daudin B. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 3. P. 1127
  11. Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Шубина Т.В., Листошин С.Б., Иванов С.В. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 5. В. 8. С. 36
  12. Гилл Ф., Мюррей У., Райт М. Практическая оптимизация / Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 509 с
  13. Yoshikawa A., Hashimoto N., Kikukawa N., Che S.B., Ishitani Y. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 153 115
  14. Sheldon B.W., Rajamani A., Bhandari A., Chason E., Hong S.K., Beresford R. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 043 509

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme