Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300-330 nm
Айнбунд М.Р.1,2, Алексеев А.Н.1,2, Алымов О.В.1,2, Жмерик В.Н.1,2, Лапушкина Л.В.1,2, Мизеров А.М.1,2, Иванов С.В.1,2, Пашук А.В.1,2, Петров С.И.1,2
1ОАО ЦНИИ "Электрон", Санкт-Петербург ЗАО "Научное и технологическое оборудование" (НТО), Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: petrov@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Одним из важных применений структур на основе нитридов металлов третьей группы является создание так называемых солнечно-слепых ультрафиолетовых фотоприемников на основе фотокатодов. В большинстве работ по этой теме упоминаются фотокатоды с активной областью p-GaN с длинноволновой границей чувствительности 360 nm. Однако поскольку регистрируемые излучения сосредоточены в основном в диапазоне менее 240-290 nm, то сдвиг длинноволновой границы чувствительности путем получения фотокатодов с активной областью p-AlGaN является чрезвычайно актуальной задачей. В данной работе представлены предварительные результаты получения фотокатодов с активной областью на основе p-AlxGa1-xN с x=0.1 и 0.3 (с границей чувствительности 330 и 300 nm соответственно).
- Айнбунд М.Р., Суриков И.Н., Чернова О.В., Чикунов В.В. // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Техника телевидения. 2007. В. 1. С. 69--74
- Siegmund O., Vallerga J., McPhate K., Malloiy J., Tremsin A., Martin A., Ulmer M., Wessels B. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2006. V. 567. P. 89--92
- Wang Xiaohui, Chang Benkang, Ren Ling, Gao Pin. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 98. P. 082 109--082 111
- Sumiya M., Kamo Y., Ohashi N. et al. // Applied Surface Science. 2010. V. 256. P. 4442--4446
- Alexeev A., Krasovitsky D., Petrov S., Chaly V. // 16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Alpe d'Huez. 2011. M3.3
- Komissarova T.A., Jmerik V.N., Mizerov A.M., Shmidt N.M., Ber B.Ya., Kasantsev D.Yu., Ivanov S.V. // Phys. Status Solidi C. 2009. V. 6. N S2. P. S466--S469
- Айнбунд М.Р., Вилькин Е.Г., Пашук А.В., Петров А.С., Суриков И.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 11. С. 14--16
- Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Шубина Т.В., Сахаров А.В., Ситникова А.А., Копьев П.С., Иванов С.В., Луценко Е.В., Данильчик А.В., Ржеуцкий Н.В., Яблонский Г.П. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 12. С. 1452--1458
- Pozina G., Paskov P.P., Bergman K.P., Hemmingsson C., Hultman L., Monemar B., Amano H., Usui A. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 221 901--221 903
- Kim J.K., Waldron E.L., Li Y.-L., Gessmann Th., Schubert E.F., Jang H.W., Lee J.-L. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 3310--3312
- Reshchikov M.A., Yi G.-C., Wessels B.W. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N 20. P. 13 176--13 183
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
