Вышедшие номера
AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8-10 mum
Бутягин О.Ф.1, Кацавец Н.И.1, Коган И.В.1, Красовицкий Д.М.1, Куликов В.Б.1, Чалый В.П.1, Дудин А.Л.1, Чередниченко О.Б.1
1ЗАО "Светлана-Рост", Санкт-Петербург НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва
Email: katsavets@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Представлены результаты исследования гетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке STE-3532 (производитель "SemiTEq", С.-Петербург, Россия) и предназначенных для создания длинноволновых инфракрасных фотоприемников, работающих на "межподзонных" переходах. Квантовые ямы в выращенных структурах обладают высокой однородностью и резкими гетерограницами, что подтверждается спектрами фотолюминесценции и вольт-амперными характеристиками темнового тока фотоприемников, изготовленных из выращенных гетероструктур. Такие фотоприемники имеют спектр фоточувствительности в окне прозрачности атмосферы (8-10 mum) и параметры, позволяющие использовать их в широкоформатных матрицах для тепловизионных систем нового поколения.