Вышедшие номера
О генерации (усилении) терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках
Хаджи П.И.1,2, Белоусов И.В.1,2, Коровай А.В.1,2, Марков Д.А.1,2
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Email: fmf_nokr@spsu.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Предложен и изучен новый механизм генерации терагерцового излучения в полупроводниках, использующий квантовые переходы между двухэкситонным и биэкситонным состояниями в условиях однофотонного возбуждения экситонов из основного состояния кристалла.