Методом растровой электронной микроскопии изучены структурно-морфологические характеристики поверхности аморфных конденсатов Si. Были обнаружены процессы самоорганизации одинаковых форм и размеров осровков. Создана математическая модель, которая отчасти объясняет самоорганизацию островковых систем в условиях предельно слабых пересыщений, при наличии вблизи ростовой поверхности электрического поля и осаждении ионизированных атомов Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.