"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследования автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкопленочного наноалмазографитового эмиттера
Суздальцев С.Ю.1, Шаныгин В.Я.1, Яфаров Р.К.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@renet.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Исследовано влияние параметров конструкции автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из наноалмазографитовых тонкопленочных структур, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления, на его эксплуатационные характеристики. Получены плотности тока автоэмиссии до 20 A/cm2при рабочем напряжении 300 V. Показано, что при оптимальных параметрах конструкции диода тангенциальная схема токоотбора позволяет уменьшить более чем в два раза порог напряженности электрического поля начала автоэмиссии по сравнению с порогом напряженности при планарной автоэмиссии с этих же наноалмазографитовых структур.
  1. Яфаров P.K. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 1. С. 42--48
  2. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. // Вестник СГТУ. 2010. N 3 (47). В. 2. С. 81--86

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.