Исследовано влияние параметров конструкции автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из наноалмазографитовых тонкопленочных структур, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления, на его эксплуатационные характеристики. Получены плотности тока автоэмиссии до 20 A/cm²при рабочем напряжении 300 V. Показано, что при оптимальных параметрах конструкции диода тангенциальная схема токоотбора позволяет уменьшить более чем в два раза порог напряженности электрического поля начала автоэмиссии по сравнению с порогом напряженности при планарной автоэмиссии с этих же наноалмазографитовых структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.