Вышедшие номера
Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si(100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами
Филатова Е.О.1,2,3, Лысенков К.М.1,2,3, Соколов А.А.1,2,3, Овчинников А.А.1,2,3, Марченко Д.Е.1,2,3, Кашкаров В.М.1,2,3, Назариков И.В.1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2BESSY II, Albert-Einstein str., 15, Berlin, Germany
3Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: feo@EF14131spb.edu
Поступила в редакцию: 14 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Исследовался пористый кремний (por-Si), полученный электрохимическим травлением монокристаллического Si (100) в водном растворе фторида аммония с добавлением изопропилового спирта. Исследование проводилось методами рентгеновской спектроскопии отражения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта. Установлено, что por-Si, полученный по нетрадиционной методике (без использования плавиковой кислоты), является частично аморфизированным и имеет на поверхности стабильный во времени окисел, не превышающий по толщине 5 nm.