Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 3 » Статья стр. 45
<<<>>>
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si1-xGex(0<x<0.35) и исследование их свойств
Атабаев И.Г.1,2,3, Матчанов Н.А.1,2,3, Хажиев М.У.1,2,3, Юсупова Ш.А.1,2,3
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, USA
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sh.yusupova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
PDF версия
Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si1-xGex диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at. %, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si1-xGex в зависимости от содержания Ge.
  1. Бачо И., Калинка Г., Келетий Й. и др. // ПТЭ. 1981. N 2. С. 221--222
  2. Саидов М.С., Муминов Р.А., Атабаев И.Г. и др. // Атомная энергия. 1996. Т. 81. В. 4. С. 270--273
  3. Ruzin A., Marunko S., Gusakov Y. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. Iss. 9. P. 5081--5087
  4. Ruzin A., Marunko S., Abrosimov N.V., Riemann H. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A. 2004. V. 518. Iss. 1--2. P. 373--375
  5. Кожух М.Л., Белокурова И.Н., Вахрушев С.Б., Трунов В.А. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 11. С. 686--688
  6. Erko A., Abrosimov N.V., Alex S.V. // J. Crystal. Res. Technol. 2002. V. 37. N 7. P. 685--704
  7. Бонштедт-Куплетская Э. Определение удельного веса минералов. М.: Изд. АН СССР, 1951. 128 c
  8. Lax D., Neustadter S.T. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. P. 1148--1154
  9. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Под ред. Б.Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. 136 с
  10. Ulyashin A.G., Abrosimov N.V., Bentzen A. et al. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2006. V. 9. Iss. 4--5. P. 772--776
  11. Грехов И.В., Белякова Е.И., Костина Л,С. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 23. С. 66--72
  12. Gaworzewski P., Tittelbach-Helmrich K., Penner U., Abrosimov N.V. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 10. P. 5258--5263

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme