Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si1-xGex(0<x<0.35) и исследование их свойств
Атабаев И.Г.1,2,3, Матчанов Н.А.1,2,3, Хажиев М.У.1,2,3, Юсупова Ш.А.1,2,3
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
2Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, USA
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, USA
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sh.yusupova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si1-xGex диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at. %, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si1-xGex в зависимости от содержания Ge.
- Бачо И., Калинка Г., Келетий Й. и др. // ПТЭ. 1981. N 2. С. 221--222
- Саидов М.С., Муминов Р.А., Атабаев И.Г. и др. // Атомная энергия. 1996. Т. 81. В. 4. С. 270--273
- Ruzin A., Marunko S., Gusakov Y. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. Iss. 9. P. 5081--5087
- Ruzin A., Marunko S., Abrosimov N.V., Riemann H. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A. 2004. V. 518. Iss. 1--2. P. 373--375
- Кожух М.Л., Белокурова И.Н., Вахрушев С.Б., Трунов В.А. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 11. С. 686--688
- Erko A., Abrosimov N.V., Alex S.V. // J. Crystal. Res. Technol. 2002. V. 37. N 7. P. 685--704
- Бонштедт-Куплетская Э. Определение удельного веса минералов. М.: Изд. АН СССР, 1951. 128 c
- Lax D., Neustadter S.T. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. P. 1148--1154
- Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Под ред. Б.Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. 136 с
- Ulyashin A.G., Abrosimov N.V., Bentzen A. et al. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2006. V. 9. Iss. 4--5. P. 772--776
- Грехов И.В., Белякова Е.И., Костина Л,С. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 23. С. 66--72
- Gaworzewski P., Tittelbach-Helmrich K., Penner U., Abrosimov N.V. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 10. P. 5258--5263
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
