Композиционная неоднородность и дефекты структуры в кристаллах твердого раствора GexSi1-x, выращенных методом Чохральского
Сорокин Л.М.1, Аргунова Т.С.1, Абросимов Н.В.1, Гуткин М.Ю.1, Забродский А.Г.1, Костина Л.С.1, Jung J.W.1, Je J.H.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Beriln, Germany Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург, Россия Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, 790
Поступила в редакцию: 10 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Исследована взаимосвязь между пластической деформацией и неоднородностью распределения Ge в кристаллах твердых растворов GexSi1-x (x=4/ 9 at.% Ge), выращенных методом Чохральского. Показано, что механизмом пластической деформации служит зарождение дислокаций на источниках в полосах сегрегации Ge, а неоднородность в распределении Ge поперек оси роста вызвана термоупругими напряжениями. PACS: 61.72.Lk, 61.72.Bb, 61.72.Ff
- Khanduri G.M., Panwar B.S. // Defence Science Journal. 2006. V. 56. N 2. P. 289--294
- Hirose F., Souda Y., Nakano K. et al. // IEEE Trans. Elect. Dev. 2001. V. 48. N 10. P. 2417--2420
- Arafa M., Fay P., Ismail K. et al. // IEEE Elect. Dev. Lett. 1996. V. 17. P. 124--126
- Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наук. думка, 1983. 304 с
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 160 с
- Vdovin V.I. // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. V. 171. N 1. P. 239--250
- Paul D.J. // Sem. Sci. Tech. 2004. V. 19. N 10. P. R75--R108
- Abrosimov N.V., Rossolenko S.N., Alex V. et al. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 166. P. 657
- Abrosimov N.V., Ludge A., Riemann H. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237--239. P. 356
- Аргунова Т.С., Андреев А.Г., Белякова Е.И. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 4. С. 1--6
- Грехов И.В., Костина Л.С., Аргунова Т.С. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 6. С. 45--51
- Аргунова Т.С., Витман Р.Ф., Грехов И.В. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 11. С. 1953--1962
- Wieteska K., Wierzchowski W., Graeff W. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. A133--A138
- Аргунова Т.С., Гуткин М.Ю., Забродский А.Г. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 7. С. 1184--1191
- Bowen D.K., Tanner B.K. High resolution X-ray diffractometry and topography. Taylor \& Francis. UK. 1998. 250 p
- Yi J.M., Seol S.K., Je J.H. et al. // Nucl. Instrum. \& Meth. Phys. Res. 2005. V. A551. P. 152--156
- Mura T. Micromechanics of Defects in Solids. Dordrecht, Martinus Nijhoff, 1987
- Тимошенко С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. М.: Наука, 1975. 576 с
- Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 600 с
- Асеев А.Л., Федина Л.И., Хеэль Д., Барч X. Скопление междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск: Наука, 1991. 149 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.