Вышедшие номера
Компьютерное моделирование роста когерентных островков в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs
Сафонов К.Л.1,2, Дубровский В.Г.1,2, Сибирев Н.В.1,2, Трушин Ю.В.1,2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" РАН
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
Email: trushin@edu.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Проведено компьютерное моделирование зарождения и роста ансамблей когерентных островков нанометровых размеров в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены зависимости структурных параметров ансамблей островков от условий эпитаксиального роста: температуры подложки и скорости осаждения. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными. PACS: 81.07.-b, 82.20.wt