Компьютерное моделирование роста когерентных островков в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs
Сафонов К.Л.1,2, Дубровский В.Г.1,2, Сибирев Н.В.1,2, Трушин Ю.В.1,2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" РАН
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
Email: trushin@edu.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Проведено компьютерное моделирование зарождения и роста ансамблей когерентных островков нанометровых размеров в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены зависимости структурных параметров ансамблей островков от условий эпитаксиального роста: температуры подложки и скорости осаждения. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными. PACS: 81.07.-b, 82.20.wt
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 385
- Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. Chichester: Wiley\&Sons, 1999
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 267. P. 47
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 075 409
- Costantini G., Rastelli A., Manzano C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 5673
- Современные численные методы / Ред. Дж. Холл, Дж. Уатт. М.: Мир, 1979
- Kashchiev D. Nucleation: Basic Theory with Applications. Butterworth-Heinemann, Oxford, 2000
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. С. 1083
- Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156
- Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжановская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 342
- Hindmarsh A.C. GEAR: Ordinary Differential Equation System Solver. Lawrence Livermore Laboratory, 1974. Report UCID-3000. REV. 3.
- Kratzer P., Lui Q.K.K., Acosta-Diaz P. et al. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 205 347
- Moll N., Scheffler M., Pehlke E. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 4566
- Xu M.C., Temko Y., Suzuki T., Jacobi K. // Journal Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 083 525.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
