Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 7 » Статья стр. 50
<<<>>>
Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии
Моисеев К.Д.1, Пархоменко Я.А.1, Анкудинов А.В.1, Гущина Е.В.1, Михайлова М.П.1, Титков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
PDF версия
Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию InSb/InAs квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии и структурных исследований их характеристик методами сканирующей зондовой микроскопии и атомно-cиловой микроскопии. Показано, что плотность, форма и размеры нанообъектов зависят от температуры выращивания, скорости охлаждения и времени контакта раствор-расплав-подложка. Получены однородные массивы квантовых точек InSb на подложках InAs(100) в интервале температур T=420-445oC, со средними размерами: высотой H=3.4± 1 nm, радиусом R=27.2± 7.5 nm и плотностью до 1.9· 1010 cm-2. PACS 73.21.La, 81.15.Lm
  1. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алфёров Ж.А., Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т. 32. N 4. С. 385--410
  2. Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 196
  3. Hatami F., Ledentsov N.N., Grundmann M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 656
  4. Saint-Giroris G., Patriarche G., Michon A., Beaudoin G., Sagnes I., Smaali K., Troyon M. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 031923
  5. Eaglesham D.E., Cerrulo M. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 65. P. 1020
  6. Alphandery E., Nicolas R.J., Mason N.J., Zhang B., Mork P., Booker C.R. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2041
  7. Bhattacharya P., Stiff A.D., Roberts J., Chakrabarti S. // Mid-infrared optoelectronics. Springer Series in Optical Sciences / Ed. A. Kritter. 2006. P. 487--513
  8. Warren C.W. et al. // Science. 1998. V. 281. P. 2016--2018
  9. Зегря Г.Г. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 4. С. 75--81
  10. Krier A., Huang X.L., Hammiche A. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 3791
  11. Марончук И.Е., Марончук А.И., Кулюткина Т.Ф., Найденова М.В., Чорный И.В. // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. 2005. N 12. С. 97--101
  12. Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Моисеев К.Д., Цивиш С., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 375--379
  13. Deguffrog N., Ramonda M., Baranov A.N., Tournie E. // Proc. of the 12th Int. Conf. Narrow-gap Semicond / Ed. J. Kono and J. Leontin. Touluse, France, 3--7 July 2005. Conf. ser N 187. P. 93--98
  14. Ivanov S.V., Semenov A.N., Lyublinskaya O.G., Meltzer B.Ya., Solov'ev V.A., Terent'ev Ya.V., Kop'ev P.S. // Proc. of the 12th Int. Conf. Narrow-gap Semicond / Ed. J. Kono and J. Leontin. Touluse, France, 3--7 July 2005. Conf. ser N 187. P. 89--92
  15. Nicholas R.J., Shields P.A., Child R.A., Li L.J., Alphandery E., Mason N.J., Bumby C. // Physica E. 2004. V. 20. P. 204--210
  16. Ankudinov A., Maruschak V., Titkov A., Evtichiev V., Kotelnikov E., Egorov A., Riechert H., Huhtinen H., Laiho R. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. V. 3/4. P. 9--12
  17. Dunaevsky M.S., Ankudinov A.V., Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov A.V., Laiho R., Baranov A.N., Yarekha D.A., Girard P., Titkov A.N. // Proc. 11th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. St. Petersburg, Russia. June 23--28, 2003. P. 103--104

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme