Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование оптико-электрических свойств карбидосодержащих тонких пленок на основе кремния
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
2ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
Email: ksa@phase.ipme.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Представлены экспериментальные результаты исследований оптико-электрических свойств карбидосодержащих тонких пленок, выращенных новым перспективным методом на пластинах из кремния. Приводятся электронограммы, вольт-амперные характеристики (световые и темновые), зависимости вентильной эдс от уровня возбуждения и спектральные зависимости фоточувствительности. Демонстрируется перспективность подобных систем для оптоэлектроники. PACS: 78.20.Jq
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Гордеев С.К., Корчагина С.Б. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 20. С. 6--13
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
- Виолина Г.Н., Крутилова Т.С. // ФТП. 1971. Т. 5. N 6. 1130--1135
- Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники. М.: Экос, 1984. 133 с
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
- Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев Х.А., Калинкин И.П. // ФТП. 1993. Т. 27. N 3. С. 532--534
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
