Численное моделирование электрических свойств структуры Si-SiO2-VO2
Кулдин Н.А.1, Величко А.А.1, Пергамент А.Л.1, Стефанович Г.Б.1, Борисков П.П.1
1Петрозаводский государственный университет
Email: kuldin@psu.karelia.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Проведено численное моделирование протекания переменного тока в структуре Si-SiO2-VO2, в которой эффект электрического переключения с S-образной ВАХ обусловлен фазовым переходом металл-полупроводник в диоксиде ванадия. Показана возможность управления динамикой электрического переключения структуры на высоких частотах (105-109 Hz), что делает ее перспективным элементом для использования в высокочастотной микроэлектронике в качестве близкого аналога тиристоров и фототиристоров.
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. // Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
- Борисков П.П., Величко А.А., Пергамент А.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 10. С. 13--18
- Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 12. С. 49--53
- Кулдин Н.А., Величко А.А. // Успехи современного естествознания. 2004. В. 4. С. 44--46
- Cavalleri A., Toth C., Siders C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 237 401--237 404
- Очан Ю.С. // Методы математической физики. М.: Высш. школа, 1965. 383 с
- Самсонов Г.В. // Физико-химические свойства окислов. М.: Металлургия, 1978. 472 с
- Stefanovich G., Pergament A., Stefanovich D. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2000. V. 12. P. 8837--8845
- Зи С. // Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
- Stefanovich G., Pergament A., Velichko A. et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2004. V. 16. P. 4013--4024
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук