Получение и фотоэлектрические свойства эпитаксиального слоя Si, выращенного из расплава олова в техническом кремнии
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1, Ибрагимов Ш.И.1
1ФТИ НПО "Физика
Поступила в редакцию: 27 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Методом жидкофазной эпитаксии синтезирован эпитаксиальный слой Si1-xSnx (0.04<x<0.96) из технического кремния + оловянный раствор-расплав. Исследовано распределение химических компонентов по поверхности и по толщине эпитаксиальных Si1-xSnx слоев. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных слоев и структур. Из результатов измерений можно говорить, что полученные слои структурно совершенные, металлические включения отсутствуют. Показано, что спектральная чувствительность полученных слоев смещается в длинноволновую сторону.
- Сапаев Б. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 20. С. 64--68
- Стафеев И.В. // ЖТФ. 1958. Т. 28. N 8. С. 1631--1641
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978. С. 320
- Саидов М.С. // Гелиотехника. 2001. N 3. С. 4
- Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 3
- Техника оптической связи: Фотоприемники / Пер. с англ. М.: Мир, 1988. С. 526
- Саидов А.С., Сапаев Б., Усмонов Ш., Сапаров Д.В. Спектральная характеристика pSi-nSi<Sn> структур. Труды III национальной конференции "Рост, свойства и применение кристаллов", 22--23 октября, 2002 г., Ташкент
- Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Тошев А.Р. и др. // Гелиотехника. 2001. N 4. С. 13
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук