Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Рябов Д.В.1, Сабитов О.Ю.1, Афанасьев А.М.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Методом численного моделирования экспериментальных зависимостей тока и заряда, протекающего через слой люминофора, от времени для тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn с помощью расчетной временной зависимости туннельного тока электронов с поверхностных состояний прикатодной границы раздела диэлектрик-полупроводник показано, что глубина уровней поверхностных состояний изменяется в процессе роста поля от ~ 0.6 до 1.3 eV, вероятность туннелирования от 10-15 до 300-400 s-1, ширина потенциального барьера от ~ 9 до 5.7 nm.
- Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
- Bringuier E. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 3. P. 1314--1325
- Neyts K.A., De Visschere. // J.Appl. Phys. 1990. V. 68. N 8. P. 4163--4171
- Smith D.H. // J. Luminescence. 1981. V. 23. N 1. P. 209--235
- Васильченко В.П. // ЖПС. 1996. Т. 63. В. 3. С. 461--465
- Howard W.E., Sahni O., Alt M. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 1. P. 639--647
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 2. С. 74--83
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 4. С. 100--112.
- Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. 224 с
- Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 9. С. 89--95
- Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 1. С. 45--54
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 8. С. 48--58
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук