Вышедшие номера
Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Рябов Д.В.1, Сабитов О.Ю.1, Афанасьев А.М.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Методом численного моделирования экспериментальных зависимостей тока и заряда, протекающего через слой люминофора, от времени для тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn с помощью расчетной временной зависимости туннельного тока электронов с поверхностных состояний прикатодной границы раздела диэлектрик-полупроводник показано, что глубина уровней поверхностных состояний изменяется в процессе роста поля от ~ 0.6 до 1.3 eV, вероятность туннелирования от 10-15 до 300-400 s-1, ширина потенциального барьера от ~ 9 до 5.7 nm.