Захват электронов дислокациями в сверхвысокочастотном поле в сульфидах цинка и кадмия
Горелов Б.М.1
1Институт химии поверхности НАН Украины, Киев
Email: user@surfchem.freenet.kiev.ua
Поступила в редакцию: 13 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Показано, что действие импульсного сверхвысокочастотного поля стимулирует туннельный захват электронов дислокациями и обратимые преобразования дефектов в широкозонных соединениях сульфидов цинка и кадмия.
- Островский И.В. // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34. N 8. С. 463--466
- Громашевский В.Л., Дякин В.В., Сальков Е.А. и др. // УФЖ. 1984. Т. 29. N 4. С. 550--554
- Горелов Б.М., Коротченков О.А., Островский И.В., Шейнкман М.К. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. В. 21. С. 1315--1320
- Омельченко С.А., Буланый М.Ф., Хмеленко О.В. // ФТТ. 2003. Т. 45. N 9. С. 1308--1313
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 464 с
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 557 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
