Оценка механических напряжений в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими пленками цирконата-титаната свинца
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Хосина Н.Г.1, Афанасьев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Анализ предложенной модели механических напряжений, действующих на сегнетоэлектрическую пленку в тонкопленочной конденсаторной структуре Si-SiO2-Pt-PZT-Pt, показал, что в большинстве случаев тонкие пленки PZT толщиной 100-200 nm, использующиеся для создания элементов репрограммируемых сегнетоэлектрических запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключении питания (NVFRAM), подвергаются воздействию растягивающих механических напряжений. Предполагается, что замена растягивающих механических напряжений на сжимающие в пленках PZT приведет к повышению стабильности работы устройств памяти.
- Scott J.F., Paz de Araujo C.A. // Science. 1989. V. 246. P. 1400--1405
- Scott J.F. // Ferroelectrics Rev. 1998. V. 1. N 1. P. 1--129
- Kim S.-H., Koo C.Y., Ha S.-M. et al. // Integr. Ferroelectrics. 2002. V. 48. P. 139--147
- Ramesh R., Chan W.K., Wilkens B. et al. // Integr. Ferroelectrics. 1992. V. 1. N 1. P. 1--15
- Auciello O. // Integr. Ferroelectrics. 1997. V. 15. P. 211--220
- Pronin I.P., Kaptelov E.Yu., Tarakanov E.A. et al. // Integr. Ferroelectrics. 2002. V. 49. P. 285--294
- Spierings G.A.C.M., Dormans G.J.M., Moors W.G.J. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 1926--1933
- Пронин И.П., Гольцев А.В., Каптелов E.Ю. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. N 9. С. 1685--1690
- Bruchhaus R., Pitzer D., Schreiter M. et al. // J. of Electroceramics. 1999. V. 3. N 2. P. 151--162
- Thornton J.A., Hoffman D.W. // Thin Solid Films. 1989. V. 171. P. 5--31
- Shirane B.G., Suzuki K., Takeda A. // J. of Phys. Soc. of Japan. 1952. V. 7. N 1. P. 12--18
- Iijima K., Tomita Y., Takayama R. et al. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 1. P. 361--367
- Wang Z.-J., Karibe I., Yan L.J. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. N 11A. P. 6658--6663
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук