Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1, Рябов Д.В.1
1Ульяновский государственный университет
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Обнаружены существенные отличия кинетики тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсном фотовозбуждении в синей, красной и инфракрасной областях спектра. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных вакансиями цинка и серы с образованием объемных зарядов в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора.
- Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 1. P. 639--647
- Yang K.-W., Owen S.J.T. // IEEE Trans. On Electron. Devices. 1983. V. ED-30. N 5. P. 452--459
- Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et al. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 1. P. 296--299
- Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 10. P. 5339--5346
- Bringuier E. // Phil. Mag. 1997. V. 75. N 2. P. 209--228
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 8. С. 48--58
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 2. С. 74--83
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 15. С. 24--32
- Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. 320 с
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 654 с
- Vlasenko N.A., Chumachkova M.M., Denisova Z.L. et al. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 216. P. 249--255
- Морозова И.К., Кузнецова В.А. Сульфид цинка: получение и свойства. М.: Наука, 1987. 200 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
