"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рекомбинационная неустойчивость и двойное S-переключение в p-Ge(Au)
Ибрагимов Х.О.1, Алиев К.М.1, Камилов И.К.1, Абакарова Н.С.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: kamilov@datacom.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований образцов p-Ge(Au) и проведено их качественное сравнение с одномерной теоретической моделью, разработанной для рекомбинационной неустойчивости в германии с золотом в двухпараметрическом пространстве "напряжение--эмиссия". Показано существование в системе трех режимов функционирования в пространстве параметров. Обнаружено наличие на вольт-амперной характеристике (ВАХ) второго участка с S-переключением, который, возможно, связан с шумоиндуцированным неравновесным фазовым переходом.
  1. Камилов И.К., Абакарова Н.С., Ибрагимов Х.О., Алиев К.М. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 6. С. 24--31
  2. Abakarova N.S., Ibragimov Kh.O., Aliev K.M., Kamilov I.K. // Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. N 11. P. 909--912
  3. Ken-ichi Oshio, Hideo Yahata // J. Phys. Soc. Japan. 1996. V. 65. N 5. P. 1490--1499
  4. Ken-ichi Oshio, Hideo Yahata // J. Phys. Soc. Japan. 1998. V. 67. N 7. P. 2538--2545
  5. Стафеев В.И. // ФТТ. 1963. Т. 5. N 11. С. 3095--3104
  6. School E. Nonequilibrium Phase Transition in semiconductors. Berlin: Springer, 1987
  7. Карлова И.В., Сыровегин С.М. // ФТП. 1982. Т. 16. N 9. С. 1601--1605
  8. Константинов О.В., Перель В.К., Царенков Г.В. // ФТТ. 1967. Т. 9. С. 1761

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.