"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
11965
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
84

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2010 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильичев Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Полторацкий Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН, Санкт-Петербург
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Саратовский филиал)
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Фетисов Ю.К.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет Томский политехнический университет
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет
3
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Артеменко С.Н.
НИИ ядерной физики при Томском политехническом университете, Томск, Россия Технион --- Израильский институт технологий, Хайфа, Израиль
2
Пульнев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.Л.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия
2
Грузнев Д.В.
Институт автоматики и процессов управления ДО РАН, Владивосток
2
Знаменская И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
36
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
6
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
4
Ульяновский государственный университет
4
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
4
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Саратовский государственный университет
3
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
2
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, Улан-Удэ
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
2
Томский политехнический университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
2
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва
2
Саратовский филиал института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
2
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Физико-технический институт НПО "Физика
2
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В.И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ"
2
Московский педагогический государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2
Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
1
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
1
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St.Andrews, North Haugh, St.Andrews, KY169SS, UK
1
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.Б. Скобельцына, Москва
1
Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала
1
Саратовский государственный технический университет, Россия Centre for Research and Advanced Studies (CINVESTAV),, Saltillo, Mexico
1
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
1
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров
1
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Л.В. Решетнева, Красноярск
1
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл.
1
ОАО "Аквасервис", Москва Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва
1
Гродненский государственный университет имени Янки Купалы, Гродно, Беларусь
1
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
1