"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
Бессолов В.Н.1,2, Жиляев Ю.В.1,2, Коненкова Е.В.1,2, Сорокин Л.М.1,2, Феоктистов Н.А.1,2, Шарофидинов Ш.1,2, Щеглов М.П.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Метс Л.И.1,2, Осипов А.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0.1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omegatheta=2100 arcsec.
  • Masri P. et al. // Phys. Stat. Sol. (C). 2002. V. 0. P. 355
  • Zhang J.X. et al. // Surface \& Coating Technology. 2005. V. 198. P. 68
  • Chuan L.S. et al. // Surface Rev. Lett. 2009. V. 16. P. 99
  • Zhao J.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 093 506
  • Kumagai Y. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2007. V. 46. P. L389
  • Komiyama J. et al. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. P. 96
  • Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188
  • Бессолов В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 21. С. 30
  • Аксянов И.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 11. С. 54
  • Kardar M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 56. P. 89
  • Segal A.S. et al. // Phys. Stat. Sol. (C). 2009. V. 6. P. 5329
  • Tsujisawa K. et al. // Phys. Stat. Sol. (C). 2007. V. 4. P. 2252
  • Usikov A. et al. // Phys. Stat. Sol. (C). 2008. V. 5. P. 1825
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.