Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бегер В.Н.
Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики
4
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Логунов М.В.
Институт общей физики, Москва Российский НИИ технологии и микроэлектроники, Москва
3
Рандошкин В.В.
Институт общей физики, Москва Российский НИИ технологии и микроэлектроники, Москва
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Фомин Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рожков В.А.
Самарский государственный университет
3
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет
3
Иову М.С.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Шматов М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Месяц Г.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Углов А.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Сагдединов О.Г.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Чани В.И.
Институт общей физики, Москва
2
Шушерова Е.Э.
Институт общей физики, Москва Российский НИИ технологии и микроэлектроники, Москва
2
Зотов А.В.
Институт автоматики и процессов управления с вычислительным центром РАН, Владивосток
2
Лифшиц В.Г.
Институт автоматики и процессов управления с вычислительным центром РАН, Владивосток
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН, Москва
2
Чудновский Ф.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайнутдинов А.Х.
Ташкентский государственный университет
2
Касымов А.А.
Ташкентский государственный университет
2
Магрупов М.А.
Ташкентский государственный университет
2
Алексеев А.Е.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
2
Волков А.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Резников В.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
2
Пунегов В.И.
Сыктывкарский государственный университет
2
Норинский Л.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Китык И.В.
Львовский государственный университет
2
Андрухив A.M.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Миронов К.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власов С.Н.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лалетин В.М.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси
2
Михневич В.В.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси
2
Романенко Н.Н.
Самарский государственный университет
2
Климов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гридин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Ханчевская Е.Г.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Лисовский В.А.
Харьковский государственный университет
2
Гущин Е.М.
Московский инженерно-физический институт
2
Сомов С.В.
Московский инженерно-физический институт
2
Тимофеев М.К.
Московский инженерно-физический институт
2
Бутенко В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Абдуллаев Ф.Х.
Отдел теплофизики АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН
2
Дерягин Б.В.
Институт физической химии РАН
2
Саков Д.М.
Институт физической химии РАН
2
Бичевин В.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Бичевин П.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Медведев Ю.В.
Институт прикладной физики Львовского университета
2
Гомоюнова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пронин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синявский Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Т.П.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Кан В.В.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
2
Терехов А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кузнецов С.Н.
Петрозаводский государственный университет
2
Берченко Н.Н.
Львовский политехнический институт
2
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет, Саранск
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Катков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Волл В.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Тилевов С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, С.-Петербург
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, С.-Петербург
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, С.-Петербург
2
Хомченко А.В.
Институт физики АНБ Могилевское отделение
1
Павлов В.Ф.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина
1
Кожахметов С.К.
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Корниенко Ю.К.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
1
Предтеченский М.Р.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тихонов П.А.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Волкова Г.К.
Физико-технический институт АН Украины, Донецк
1
Козырев C.B.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пахаруков Ю.В.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Ташкент
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук