"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
11860
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
312

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2003 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
9
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
8
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. Иоффе РАН, С.-Петербург
6
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
6
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет
5
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Мирсагатов Ш.А.
Физико-технический институт, Ташкент, Узбекистан
4
Булина Н.В.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Сорокин А.Р.
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
4
Чурилов Г.Н.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Кутеев Б.В.
С.-Петербургский государственный политехнический университет,
4
Каманина Н.В.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
4
Глущенко Г.А.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Искандаров М.О.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Никитичев А.А.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Самсонов В.П.
Сургутский государственный университет
4
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Левин М.Н.
Воронежский государственный университет
3
Постников В.В.
Воронежский государственный университет
3
Werner P.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
3
Дзедолик И.В.
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь
3
Погребняк А.Д.
Сумской государственный университет, Сумы, Украина
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воляр А.В.
Таврийский национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Беломытцев С.Я.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Рыжов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Тюрин Ю.Н.
Сумской государственный университет, Сумы, Украина
3
Фадеева Т.А.
Таврийский национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
3
Егоров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лунин Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Дащенко А.И.
Ужгородский национальный университет
3
Ратушный В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет
3
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
3
Алексеев С.Б.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Олива Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Чен Т.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
3
Смирнов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рябоштан Ю.А.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
33
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
8
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
7
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
7
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
7
Ульяновский государственный университет
6
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
5
С.-Петербургский государственный политехнический университет
5
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
4
Сургутский государственный университет
4
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
4
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
4
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
4
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН
4
Ужгородский национальный университет
4
С.-Петербургский государственный технический университет
3
Воронежский государственный университет
3
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
3
Воронежский государственный технический университет
3
С.-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
3
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Орловский государственный технический университет
2
УП "Завод Транзистор" НПО "Интеграл", Минск, Беларусь Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
2
Институт электронных управляющих машин, Москва
2
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Украина
2
Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
2
Всероссийский научный центр "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Центр физико-математических исследований при Туркменском государственном университете им. Магтымгулы, Ашгабат
2
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
2
Институт высоких температур РАН, Москва
2
Петрозаводский государственный университет
2
Алтайский государственный технический университет, Барнаул
2
Иркутский государственный университет
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
2
Институт промышленной экологии УрО РАН, Екатеринбург
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина
2
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Саратовский государственный университет
2
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
2
Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск
2
Сыктывкарский государственный университет
2
Саратовский государственный технический университет
2
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Физико-технический институт, Ташкент, Узбекистан
2
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
2