"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
11769
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
221

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1998 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Пухов А.А.
Объединенный институт высоких температур, Москва Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики РАН, Москва
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рожков В.А.
Самарский государственный университет
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новоселов Ю.Н.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
3
Коваленков О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Арзуманов А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Рыжов В.В.
Томский политехнический университет Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Названов В.Ф.
Саратовский государственный университет
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Корнев В.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Овсянников Г.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуаибов А.К.
Ужгородский государственный университет
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гольман Е.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет
3
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
3
Феоктистов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Технический университет, Усть-Каменогорск, Казахстан Институт электрофизики УрО РАН, Томск, Россия А.О. Востокмаш, Усть-Каменогорск, Казахстан
3
Везиров Х.Н.
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники, Баку
3
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лаврентьев В.И.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Технический университет, Усть-Каменогорск, Казахстан Институт электрофизики УрО РАН, Томск, Россия А.О. Востокмаш, Усть-Каменогорск, Казахстан
3
Анищенко В.С.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Исаев С.А.
Академия гражданской авиации, С.-Петербург Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
3
Сильченко А.Н.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осташев В.В.
Псковский политехнический институт
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шевченко О.Д.
Псковский политехнический институт
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Новожилова Ю.В.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, С.-Петербург
2
Марахтанов М.К.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
2
Тупицына А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
2
Ткаченко Р.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
2
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
48
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
6
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
5
Саратовский государственный университет
5
С.-Петербургский государственный технический университет
5
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
5
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
5
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
4
Ярославский государственный университет
4
Объединенный институт высоких температур. Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики РАН, Москва
4
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
3
Ужгородский государственный университет
3
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники, Баку
3
Харьковский государственный университет
3
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Иркутский государственный университет
3
Самарский государственный университет
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
3
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
3
Симферопольский государственный университет
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
3
Московский институт электронной техники
3
Псковский политехнический институт
3
Томский политехнический университет Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, С.-Петербург
2
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Белорусский государственный университет, Минск
2
Институт радиотехники и электроники РАН (Саратовский филиал)
2
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Ульяновский государственный университет
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев
2
Орловский государственный технический университет
2
С.-Петербургский государственный университет
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт"
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина
2
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород
2
Харьковский государственный университет Научный физико-технологический центр, Харьков
2
Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета
2
Академия гражданской авиации, С.-Петербург
2
С.-Петербургский электротехнический университет
2
Мозырский государственный педагогический институт
2
Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, С.-Петербург
2
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинская часть)
2
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
2
Саратовский государственный технический университет
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
2
Ростовский-на-Дону государственный университет
2
Московский инженерно-физический институт
2