"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Формирование квантовых точек при докритической толщине осаждения InAs на GaAs(100)
Тонких А.А.1,2, Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Поляков Н.К.1,2, Егоров В.А.1,2, Гладышев А.Г.1,2, Крыжановская Н.В.1,2, Устинов В.М.1,2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: iap@ianin.spb.su
Поступила в редакцию: 5 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение и фотолюминесценции проведены исследования массивов InAs квантовых точек, сформированных на поверхности GaAs(100). Количество осажденного InAs соответствует толщине смачивающего слоя, меньшей критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту. Экспериментально показано, что при толщинах осаждения 1.5 и 1.6 монослоя и последующей выдержке в потоке As4 происходит формирование островков на поверхности. Исследовано влияние температуры подложки на кинетические характеристики формирования островков InAs/GaAs.
  1. Ustinov V.M. et al. // Nanotechnology. 2000. V. 11. P. 397--400
  2. Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. R41--R45
  3. Cirlin G.E., Guryanov G.M., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Grundmann M., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 97--99
  4. Guryanov G.M., Cirlin G.E., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Bimberg D., Alferov Zh.I. // Surf. Sci. 1996. V. 352--354. P. 646
  5. Tonkikh A.A., Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Egorov V.A., Ustinov V.M., Werner P. // Phys. Stat. Sol (b). 2003. V. 236. N 1. P. R1--R3
  6. Muller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 102. P. 6--11
  7. Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156--162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.