Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 19 » Статья стр. 12
<<<>>>
Алмазные микроиглы для сканирующей туннельной микроскопии
Российский научный фонд, 25-12-00068
Клещ В.И.1, Логинов А.Б.1, Сапков И.В.1, Исмагилов Р.Р.1, Образцов А.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: klesch@polly.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 26 мая 2026 г.
Принята к печати: 19 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 6 августа 2026 г.
PDF версия
Представлен метод изготовления электропроводящих алмазных микроигл путем селективного окисления поликристаллических алмазных пленок. Показана возможность их использования в качестве зондов для сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Поверхностная электропроводность исходных микроигл была увеличена с помощью обработки сфокусированным пучком ионов галлия. Исследование автоэлектронной эмиссии из обработанных образцов выявило возможность эффективного управления величиной их электрического сопротивления. СТМ-измерения, проведенные с использованием изготовленных проводящих микроигл, показали их высокую эффективность и устойчивость к деградации. Ключевые слова: алмаз, газофазное осаждение, селективное окисление, автоэлектронная эмиссия, сканирующая туннельная микроскопия.
  1. C. Kranz, Electroanalysis, 28, 35 (2016). DOI: 10.1002/elan.201500630
  2. M. Hofmann, C. Lenk, T. Ivanov, I.W. Rangelow, A. Reum, A. Ahmad, M. Holz, E. Manske, J. Vac. Sci. Technol. B, 36, 06JL02 (2018). DOI: 10.1116/1.5048193
  3. M. Batzer, B. Shields, E. Neu, C. Widmann, C. Giese, C. Nebel, P. Maletinsky, Opt. Mater. Express, 10, 492 (2020). DOI: 10.1364/ome.380362
  4. M.M. Chaudhri, Diam. Relat. Mater., 109, 108076 (2020). DOI: 10.1016/j.diamond.2020.108076
  5. M.L. Terranova, S. Orlanducci, M. Rossi, E. Tamburri, Nanoscale, 7, 5094 (2015). DOI: 10.1039/c4nr07171a
  6. J. Bogdanowicz, A. Kumar, C. Fleischmann, M. Gilbert, J. Houard, A. Vella, W. Vandervorst, Ultramicroscopy, 188, 19 (2018). DOI: 10.1016/j.ultramic.2018.03.001
  7. I. Aharonovich, J.C. Lee, A.P. Magyar, D.O. Bracher, E.L. Hu, Laser Photon. Rev., 7, L61 (2013). DOI: 10.1002/lpor.201300065
  8. N. Moldovan, R. Divan, H. Zeng, J.A. Carlisle, J. Vac. Sci. Technol. B, 27, 3125 (2009). DOI: 10.1116/1.3263174
  9. A.N. Obraztsov, P.G. Kopylov, B.A. Loginov, M.A. Dolganov, R.R. Ismagilov, N.V. Savenko, Rev. Sci. Instrum., 81, 013703 (2010). DOI: 10.1063/1.3280182
  10. V. Porshyn, V.I. Kleshch, E.A. Obraztsova, A.L. Chuvilin, D. Lutzenkirchen-Hecht, A.N. Obraztsov, Appl. Phys. Lett., 110, 182101 (2017). DOI: 10.1063/1.4982646
  11. V.I. Kleshch, S.T. Purcell, A.N. Obraztsov, Sci. Rep., 6, 35260 (2016). DOI: 10.1038/srep35260
  12. L. Baskin, O. Lvov, G. Fursey, Phys. Status Solidi B, 47, 49 (1971). DOI: 10.1002/pssb.2220470105
  13. V.I. Kleshch, V. Porshyn, P. Serbun, A.S. Orekhov, R.R. Ismagilov, D. Lutzenkirchen-Hecht, A.N. Obraztsov, Appl. Phys. Lett., 120, 141601 (2022). DOI: 10.1063/5.0089023
  14. C. Tolkes, R. David, M. Krzyzowski, P. Zeppenfeld, Surf. Sci., 454, 741 (2000). DOI: 10.1016/s0039-6028(00)00228-4
  15. H.O. Pierson, Handbook of carbon, graphite, diamonds and fullerenes: processing, properties and applications (William Andrew, 2012)
  16. C. Arena, B. Kleinsorge, J. Robertson, W. Milne, M. Welland, J. Appl. Phys., 85, 1609 (1999). DOI: 10.1063/1.369293
  17. Z. Wei, M. Liao, Y. Guo, J. Tang, Y. Cai, H. Chen, Q. Wang, Q. Jia, Y. Lu, Y. Zhao, 2D Materials, 7, 045028 (2020). DOI: 10.1088/2053-1583/aba99f

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme