Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 19 » Статья стр. 3
>>>
Моделирование КПД гибридных каскадных солнечных элементов на основе бондинга AlGaInP/AlGaAs широкозонного тандема и кремния
Минтаиров С.А.1, Емельянов-Гирс В.М.1, Калюжный Н.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 3 июня 2026 г.
Принята к печати: 9 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 6 августа 2026 г.
PDF версия
Проведено исследование различных пар материалов А3В5 с увеличенным содержанием алюминия в фотоактивных слоях широкозонных субэлементов для формирования структур (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si гибридных солнечных элементов. Выполнены расчеты спектральных характеристик внешней квантовой эффективности (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si солнечных элементов с целью обеспечения согласования фотогенерированных токов субэлементов. Получены прогнозные оценки для КПД солнечных элементов на основе структур, обеспечивающих эффективную работу приборов при преобразовании излучений: космического (АМ0, 1 sun) - GaInP2/Al0.1Ga0.9As//Si (33.5 %) и (Al0.17Ga0.83)InP2/Al0.1Ga0.9As//Si (34.9 %); наземного (АМ1.5D, 236 suns) - GaInP2/Al0.08Ga0.92As//Si (~43.1 %) и (Al0.14Ga0.86)InP2/Al0.08Ga0.92As//Si (~44.1 %). Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, КПД, спектральная характеристика, математическое моделирование.
  1. M.A. Green, E.D. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, X. Hao, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 28 (7), 629 (2020). DOI: 10.1002/pip.3303
  2. J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler, Appl. Phys. Lett., 56, 623 (1990). DOI: 10.1063/1.102717
  3. R.R. King, D.C. Law, C.M. Fetzer, R.A. Sherif, K.M. Edmondson, S. Kurtz, G.S. Kinsey, H.L. Cotal, D.D. Krut, J.H. Ermer, N.H. Karam, in 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Barcelona, Spain, 2005), p. 118
  4. J.F. Geisz, R.M. France, K.L. Schulte, M.A. Steiner, A.G. Norman, H.L. Guthrey, M.R. Young, T. Song, T. Moriarty, Nat. Energy, 5, 326 (2020). DOI: 10.1038/s41560-020-0598-5
  5. W. Zhang, G. Li, H. Lu, X. Li, R. Lei, Q. Yang, M. Zhang, G. Xu, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 33 (10), 1068 (2025). DOI: 10.1002/pip.70010
  6. P. Patel, D. Aiken, D. Chumney, A. Cornfeld, Y. Lin, C. Mackos, M. Stan, in 2012 IEEE 38th Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2012), part 2, p. 1. DOI: 10.1109/PVSC-Vol2.2012.6656717
  7. J.F. Geisz, S. Kurtz, M.W. Wanlass, J.S. Ward, A. Duda, D.J. Friedman, J.M. Olson, W.E. McMahon, T.E. Moriarty, J.T. Kiehl, Appl. Phys. Lett., 91, 023502 (2007). DOI: 10.1063/1.2753729
  8. Y.C. Kao, H.M. Chou, S.C. Hsu, A. Lin, C.C. Lin, Z.H. Shih, C.L. Chang, H.F. Hong, R.H. Horng, Sci. Rep., 9 (1), 4308 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-40727-y
  9. F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedeler, C. Karcher, T.N.D. Tibbits, E. Oliva, G. Siefer, M. Schachtner, A. Wekkeli, A.W. Bett, R. Krause, M. Piccin, N. Blanc, C. Drazek, E. Guiot, B. Ghyselen, T. Salvetat, A. Tauzin, T. Signamarcheix, A. Dobrich, T. Hannappel, K. Schwarzburg, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 22 (3), 277 (2014). DOI: 10.1002/pip.2475
  10. P. Schygulla, R. Muller, D. Lackner, O. Hohn, H. Hauser, B. Blasi, F. Predan, J. Benick, M. Hermle, S.W. Glunz, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 30 (8), 869 (2022). DOI: 10.1002/pip.3503
  11. P. Schygulla, R. Muller, O. Hohn, M. Schachtner, D. Chojniak, A. Cordaro, S. Tabernig, B. Blasi, A. Polman, G. Siefer, D. Lackner, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 33 (1), 100 (2025). DOI: 10.1002/pip.3769
  12. O. Hohn, P. Schygulla, M. Klitzke, D. Lackner, J. Schon, E. Oliva, M. Schachtner, G. Siefer, H. Helmers, F. Dimroth, in 2024 IEEE 52nd Photovoltaic Specialist Conf. (PVSC) (IEEE, 2024), p. 0117. DOI: 10.1109/PVSC57443.2024.10749407
  13. C.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный,Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов, ФТП, 44 (8), 1118 (2010). [S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov, Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610080233]
  14. С.А. Минтаиров, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, М.В. Нахимович, В.В. Олейник, Р.А. Салий, А.Ф. Скачков,Л.Н. Скачкова, М.З. Шварц, Письма в ЖТФ, 51 (13), 40 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.13.60703.20295 [S.A. Mintairov, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Nakhimovich, V.V. Oleynik, R.A. Salii, A.F. Skachkov, L.N. Skachkova, M.Z. Shvarts, Tech. Phys. Lett., 51 (7), 37 (2025). DOI: 10.61011/TPL.2025.07.61428.20295]
  15. H. Lin, M. Yang, X. Ru, G. Wang, S. Yin, F. Peng, C. Hong, M. Qu, J. Lu, L. Fang, C. Han, P. Procel, O. Isabella, P. Gao, Z. Li, X. Xu, Nat. Energy, 8, 789 (2023). DOI: 10.1038/s41560-023-01255-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme