Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 17 » Статья стр. 44
<<<>>>
Фотолюминесцентная спектроскопия и рентгеноструктурный анализ эволюции дефектной структуры ZnO в процессе термообработки
Гаджиев М.Х. 1, Тюфтяев А.С. 1, Ильичев М.В. 1, Юсупов Д.И. 1, Антипов С.Н. 1, Муслимов А.Э.2
1Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2Отделение " Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова" Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: makhach@mail.ru, astpl@mail.ru, imvpl@mail.ru, yusupovdi@ihed.ras.ru, antipov@ihed.ras.ru, amuslimov@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 4 июня 2026 г.
Принята к печати: 5 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2026 г.
PDF версия
Предложено комплексное использование рентгеноструктурного анализа и фотолюминесцентной спектроскопии при исследовании эволюции дефектной структуры ZnO в процессе термообработки. Определена температура термообработки на воздухе 400 oC, при которой достигается максимальная концентрация вакансий кислорода с сохранением низкого уровня других типов точечных дефектов. Отжиг при более высоких температурах приводит к локальным искажениям кристаллической решетки, образованию комплексов дефектов, формированию глубоких безызлучательных центров. Ключевые слова: оксид цинка, фотолюминесценция, спектроскопия, микроструктуры, термообработка, рентгеноструктурный анализ.
  1. M. Cadatal-Raduban, J. Olejni v cek, K. Hibino, Y. Maruyama,   A. Pi sav rkova, K. Shinohara, T. Asaka, L. Lebedova Volfova,  M. Kohout, Z. Jiaqi, Y. Akabe, M. Nakajima, J.A. Harrison,  R. Hippler, N. Sarukura, S. Ono, Z. Hubiv cka, K. Yamanoi, Adv. Opt. Mater., 12, 2400377 (2024). DOI: 10.1002/adom.202400377
  2. N. Turkten, M. Bekbolet, J. Photochem. Photobiol. A, 401, 112748 (2020). DOI: 10.1016/j.jphotochem.2020.112748 
  3. S.-G. Heo, S.-I. Jo, G.-H. Jeong, Current Appl. Phys., 46, 46 (2023). DOI: 10.1016/j.cap.2022.12.004
  4. Y.K. Mishra, G. Modi, V. Cretu, V. Postica, O. Lupan, T. Reimer, I. Paulowicz, V. Hrkac, W. Benecke, L. Kienle, R. Adelung, ACS Appl. Mater. Interfaces, 7, 14303 (2015). DOI: 10.1021/acsami.5b02816 
  5. V.C. Antony Ajin, A. Jestin Lenus, Mater. Sci. Semicond. Process., 197, 109705 (2025). DOI: 10.1016/j.mssp.2025.109705
  6. R. Khanna, K. Ip, Y. Heo, D. Norton, S.J. Pearton, F. Ren, Appl. Phys. Lett., 85, 3468 (2004). DOI: 10.1063/1.1801674
  7. T.K. Roy, D. Sanyal, D. Bhowmick, A. Chakrabarti, Mater. Sci. Semicond. Process., 16, 332 (2013). DOI: 10.1016/j.mssp.2012.09.018
  8. X. Li, Y. Wang, W. Liu, G. Jiang, Ch. Zhu, Mater. Lett., 85, 25 (2012). DOI: 10.1016/j.matlet.2012.06.107
  9. O. Dobrozhan, R. Pshenychnyi, S. Vorobiov, D. Kurbatov, V. Komanicky, A. Opanasyuk, SN Appl. Sci., 2, 365 (2020). DOI: 10.1007/s42452-020-2145-1
  10. J. Lopez-Villarreal, V.C. Castro-Pena, F. Solis-Pomar, С. Gutierrez-Lazos, M. Melendrez, E. Guerra, E. Perez-Tijerina, A. Fundora, J. Sci. Technol. Appl., 6, 108 (2019). DOI: 10.34294/j.jsta.19.6.45
  11. U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dov gan, V. Avrutin, S.J. Cho, H. Morko, Appl. Phys., 98, 041301 (2005). DOI: 10.1063/1.1992666
  12. П.А. Родный, К.А. Черненко, И.Д. Веневцев, Оптика и спектроскопия, 125 (3), 357 (2018). DOI: 10.21883/OS.2018.09.46551.141-18 [P.A. Rodnyi, K.A. Chernenko, I.D. Venevtsev, Opt. Spectrosc., 125 (3), 372 (2018). DOI: 10.1134/S0030400X18090205]
  13. S.B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B, 63, 075205 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.63.075205
  14. L.S. Vlasenko, G.D. Watkins, Phys. Rev. B, 71, 12521 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.125210
  15. C.H. Ahn, Y.Y. Kim, D.C. Kim, S. Mohanta, H. Cho, J. Appl. Phys., 105, 013502 (2009). DOI: 10.1063/1.3054175
  16. Z. Wang, H. Wang, X. Wang, Y. Chen, D. Wenxin, F. Xianzhi, A. Masakazu, J. Phys. Chem. C, 125 (5), 3242 (2021). DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c11260
  17. P. Erhart, K. Albe, Phys. Rev. B, 73, 115207 (2006). DOI: 10.1103/physrevb.73.115207
  18. H. Liu, F. Zeng, Y. Lin, G. Wang, F. Pan, Appl. Phys. Lett., 102, 181908 (2013). DOI: 10.1063/1.4804613
  19. J. Liu, Y. Zhao, Y. Jiang, C.M. Lee, Y.L. Liu, G.G. Siu, Appl. Phys. Lett., 97, 231907 (2010). DOI: 10.1063/1.3525714

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme