Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 17 » Статья стр. 20
<<<>>>
Формирование высококачественных релаксированных SiGe-слоев с большой долей Ge методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Госзадание ИФМ РАН , FFUF-2024-0019
Юрасов Д.В.1, Белоконь И.С.1,2, Шалеев М.В.1, Юнин П.А.1, Новиков А.В. 1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 29 мая 2026 г.
Принята к печати: 31 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2026 г.
PDF версия
Проведено сравнительное исследование кристаллического качества релаксированных буферных слоев SiGe с высокой (~ 80 %) долей Ge, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием различных подходов. Показано, что минимальной шероховатостью поверхности, а также наименьшей плотностью прорастающих дефектов (~ 106 cm-2 при росте на подложках Ge(001) и ~ 7· 106 cm-2 при росте на подложках Si(001) ) обладают слои SiGe, полученные методом обратного градиента. Такие слои могут быть использованы как виртуальные подложки для роста структур с напряженными квантовыми ямами Ge для реализации кубитов на основе манипуляции спином дырок. Ключевые слова: SiGe-гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, шероховатость поверхности, прорастающие дислокации, кубит.
  1. T. Koch, C. Godfrin, V. Adam, J. Ferrero, D. Schroller, N. Glaeser, S. Kubicek, R. Li, R. Loo, S. Massar, G. Simion, D. Wan, K. De Greve, W. Wernsdorfer, npj Quantum Inf., 11, 59 (2025). DOI: 10.1038/s41534-025-01016-x
  2. N.W. Hendrickx, D.P. Franke, A. Sammak, G. Scappucci, M. Veldhorst, Nature, 577, 487 (2025). DOI: 10.1038/s41586-019-1919-3
  3. G. Scappucci, C. Kloeffel, F.A. Zwanenburg, D. Loss, M. Myronov, J.-J. Zhang, S. De Franceschi, G. Katsaros, M. Veldhorst, Nat. Rev. Mater., 6, 926 (2021). DOI: 10.1038/s41578-020-00262-z
  4. W.I.L. Lawrie, H.G.J. Eenink, N.W. Hendrickx, J.M. Boter, L. Petit, S.V. Amitonov, M. Lodari, B. Paquelet Wuetz, C. Volk, S.G.J. Philips, G. Droulers, N. Kalhor, F. van Riggelen, D. Brousse, A. Sammak, L.M.K. Vandersypen, G. Scappucci, M. Veldhorst, Appl. Phys. Lett., 116, 080501 (2020). DOI: 10.1063/5.0002013
  5. S.B. Samavedam, E.A. Fitzgerald, J. Appl. Phys., 81, 3108 (1997). DOI: 10.1063/1.364345
  6. H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling, Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999). DOI: 10.1063/1.125187
  7. V.A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D.J.F. Fulgoni, L.J. Nash, D.R. Leadley, Appl. Phys. Lett., 93, 192103 (2008). DOI: 10.1063/1.3023068
  8. V.A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D.R. Leadley, J. Appl. Phys., 107, 064304 (2010). DOI: 10.1063/1.3311556
  9. E.P. Kvam, R. Hull, J. Appl. Phys., 73, 7407 (1993). DOI: 10.1063/1.354033
  10. J.E. Van Nostrand, D.G. Cahill, I. Petrov, J.E. Greene, J. Appl. Phys., 83, 1096 (1998). DOI: 10.1063/1.366799
  11. J.M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien, J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.11.056
  12. Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков,Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, ФТП, 49 (11), 1463 (2015). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42444 [D.V. Yurasov, A.I. Bobrov, V.M. Daniltsev, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, Semiconductors, 49 (11), 1415 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615110263]
  13. L.E.A. Stehouwer, A. Tosato, D.D. Esposti, D. Costa, M. Veldhorst, A. Sammak, G. Scappucci, Appl. Phys. Lett., 123, 092101 (2023). DOI: 10.1063/5.0158262
  14. L.E.A. Stehouwer, C.X. Yu, B. van Straaten, A. Tosato, V. John, D.D. Esposti, A. Elsayed, D. Costa, S.D. Oosterhout, N.W. Hendrickx, M. Veldhorst, F. Borsoi, G. Scappucci, Nat. Mater., 24, 1906 (2025). DOI: 10.1038/s41563-025-02276-w
  15. J.-Y. Zhang, M. Ming, J.-H. Wang, D.-M. Huang, H. Gao, Y.-X. Chu, B.-X. Fu, H.Q. Xu, J.-J. Zhang, Appl. Phys. Lett., 125, 122106 (2024). DOI: 10.1063/5.0210639
  16. Д.В. Юрасов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, М.Н. Дроздов,Е.В. Демидов, А.В. Антонов, Л.В. Красильникова, Д.А. Шмырин, П.А. Юнин, З.Ф. Красильник, С.В. Ситников,Д.В. Щеглов, Письма в ЖТФ, 50 (10), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.10.57767.19813 [D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, A.V. Antonov, L.V. Krasilnikova, D.A. Shmyrin, P.A. Yunin, Z.F. Krasilnik, S.V. Sitnikov, D.V. Sheglov, Tech. Phys. Lett., 50 (5), 56 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.05.58424.19813].

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme