Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Терагерцевый усилитель на резонансно-туннельном диоде в разрыве полосковой линии
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание , (№ FSRR-2026-0006
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Email: davidovicvhmv@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2026 г.
Принята к печати: 12 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 26 июня 2026 г.
Решена задача о включении резонансно-туннельного диода в полосковую линию. Показана возможность усиления такой структурой волн терагерцевого диапазона. Ключевые слова: резонансно-туннельный диод, полосковая линия, терагерцевый усилитель.
- L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu, Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974). DOI: 10.1063/1.1655067
- O. Pinaud, J. Appl. Phys., 92 (4), 1987 (2002). DOI: 10.1063/1.1494127
- J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, J.N. Schulman, Proc. IEEE, 86 (4), 641 (1998). DOI: 10.1109/5.663541
- В.Ф. Елесин, ЖЭТФ, 116 (2), 704 (1999). [V.F. Elesin, JETP, 89 (2), 377 (1999). DOI: 10.1134/1.558994]
- В.Ф. Елесин, ЖЭТФ, 145 (6), 1078 (2014). DOI: 10.7868/S0044451014060123 [V.F. Elesin, JETP, 118 (6), 951 (2014). DOI: 10.1134/S1063776114060041]
- В.Ф. Елесин, ЖЭТФ, 144 (5), 1086 (2013). DOI: 10.7868/S0044451013110199 [V.F. Elesin, JETP, 117 (5), 950 (2013). DOI: 10.1134/S1063776113130104]
- R. Bhukya, G. Hampika, M. Guduri, in Energy systems, drives and automations, ed. by A. Sikander, D. Acharjee, C. Chanda, P. Mondal, P. Verma, Ser. Lecture Notes in Electrical Engineering (Springer, Singapore, 2020), vol. 664, p. 187--192. DOI: 10.1007/978-981-15-5089-8_17
- В.Ф. Елесин, ЖЭТФ, 127 (1), 131 (2005). [V.F. Elesin, JETP, 100 (1), 116 (2005). DOI: 10.1134/1.1866204]
- В.Ф. Елесин, ЖЭТФ, 124 (2), 379 (2003). [V.F. Elesin, JETP, 97 (2), 343 (2003). DOI: 10.1134/1.1608999]
- М.В. Давидович, Письма в ЖЭТФ, 110 (7), 465 (2019). DOI: 10.1134/S0370274X19190068 [M.V. Davidovich, JETP Lett., 110 (7), 472 (2019). DOI: 10.1134/S0021364019190068]
- К.С. Гришаков, В.Ф. Елесин, ФТП, 50 (8), 1113 (2016). [K.S. Grishakov, V.F. Elesin, Semiconductors, 50 (8), 1092 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616080121]
- В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.Ю. Сукочев, И.Ю. Безотосный, М.П. Бежко, ФТП, 48 (7), 983 (2014). [V.F. Elesin, I.Yu. Kateyev, A.Yu. Sukochev, I.Yu. Bezotosny, M.P. Bezhko, Semiconductors, 48 (7), 954 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614070045]
- А.В. Андрианов, ФТТ, 65 (10), 1633 (2023). DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56311.142 [A.V. Andrianov, Phys. Solid State, 65 (10), 1563 (2023). DOI: 10.61011/PSS.2023.10.57208.142]
- M. Asada, S. Suzuki, Sensors, 21, 1384 (2021). DOI: 10.3390/s21041384
- K. Arzi, S. Suzuki, A. Rennings, D. Erni, N. Weimann, M. Asada, W. Prost, IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 10, 221 (2020). DOI: 10.1109/TTHZ.2019.2959411
- R.L. Eisenhart, P.J. Khan, IEEE Trans., MTT-19, 706 (1971). DOI: 10.1109/TMTT.1971.1127612
- O.L. El-Saed, IEEE Trans, MTT-22, 769 (1974). DOI: 10.1109/TMTT.1974.1128334
- J.S. Joshi, J.A.F. Cornick, IEEE Trans., MTT-24, 573 (1976). DOI: 10.1109/TMTT.1976.1128911
- M.V. Davidovich, IEEE Trans, MTT-47 (3), 65 (1999). DOI: 10.1109/22.750220
- M.V. Davidovich, I.S. Nefedov, O.E. Glukhova, M.M. Slepchenkov, J.M. Rubi, Sci. Rep., 15, 3521 (2025). DOI: 10.1038/s41598-025-87177-3
- M.V. Davidovich, I.S. Nefedov, R.K. Yafarov, J. Appl. Phys., 137 (13), 134304 (2025). DOI: 10.1063/5.0251401
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
