Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 11 » Статья стр. 38
<<<>>>
Ширина гетерограниц в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP для квантово-каскадных лазеров, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Российский научный фонд, 21-72-30020-П
Папылев Д.С.1, Новиков И.И.1,2, Андрюшкин В.В.1,2, Гладышев А.Г.2, Дюделев В.В.3, Карачинский Л.Я.1,2, Бабичев А.В.1, Няпшаев И.А.3, Юнин П.А.4, Егоров А.Ю.2,3, Соколовский Г.С.3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: dspapylev@itmo.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 20 февраля 2026 г.
Принята к печати: 2 марта 2026 г.
Выставление онлайн: 14 апреля 2026 г.
PDF версия
Методом рентгеновской рефлектометрии проведены исследования ширины гетерограниц упругокомпенсированных гетероструктур In0.36Al0.64As/In0.67Ga0.33As квантово-каскадных лазеров, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP (001) с буферном слоем In0.53Ga0.47As различной толщины. Исследования показали, что снижение толщины буферного слоя с 500 до 100 nm не ухудшает параметры формируемых гетероструктур квантово-каскадных лазеров и сохраняет ширину гетерограниц на уровне не более одного монослоя (≤ 0.35 nm). Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, гетероструктура, ширина гетерограниц, молекулярно-пучковая эпитаксия, рентгеновская рефлектометрия. DOI: 10.21883/0000000000
  1. А.В. Бабичев, A. Bousseksou, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов,Е.В. Никитина, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев,И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, А.Ю. Егоров, ФТП, 50 (10), 1320 (2016). [A.V. Babichev, A. Bousseksou, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, E.V. Nikitina, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 50 (10), 1299 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616100067]
  2. А.В. Бабичев, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, А.В. Филимонов, А.А. Усикова, В.Н. Неведомский, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.Ю. Егоров, ФТП, 52 (6), 597 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45922.8751 [A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 52 (6), 745 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618060039]
  3. Y.V. Flores, S.S. Kurlov, M. Elagin, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink, Appl. Phys. Lett., 103 (16), 161102 (2013). DOI: 10.1063/1.4825229
  4. K.A. Krivas, D.O. Winge, M. Franckie, A. Wacker, J. Appl. Phys., 118 (11), 114501 (2015). DOI: 10.1063/1.4930572
  5. X. Lu, L. Schrottke, E. Luna, H.T. Grahn, Appl. Phys. Lett., 104, 232106 (2014). DOI: 10.1063/1.4882653
  6. C.A. Wang, B. Schwarz, D.F. Siriani, L.J. Missaggia, M.K. Connors, T.S. Mansuripur, D.R. Calawa, D. McNulty, M. Nickerson, J.P. Donnelly, K. Creedon, F. Capasso, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 23 (6), 1200413 (2017). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2677899
  7. C.A. Wang, B. Schwarz, D.F. Siriani, M.K. Connors,  L.J. Missaggia, D.R. Calawa, D. McNulty, A. Akey, M.C. Zheng, J.P. Donnelly, T.S. Mansuripur, F. Capasso, J. Cryst. Growth, 464, 215 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.029
  8. S. Ritchie, S.R. Johnson, C. Lavoie, J.A. Mackenzie, T. Tiedje, R. Streater, Surf. Sci., 374 (1-3), 418 (1997). DOI: 10.1016/S0039-6028(96)00808-4
  9. Д.С. Папылев, И.И. Новиков, В.В. Андрюшкин, А.Г. Гладышев, В.В. Дюделев, Л.Я. Карачинский, А.В. Бабичев, И.А. Няпшаев, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, ФТП, 59 (7), 439 (2025). DOI: 10.61011/FTP.2025.07.62009.8580 [D.S. Papylev, I.I. Novikov, V.V. Andryushkin, A.G. Gladyshev, V.V. Dudelev, L.Ya. Karachinsky, A.V. Babichev, I.A. Nyapshaev, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Semiconductors, 59 (7), 403 (2025).]
  10. D. Allwood, N. Mason, A. Mowbray, R. Palmer, J. Cryst. Growth, 248, 108 (2003). DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02043-2
  11. S.Y. Lehman, A. Roshko, R.P. Mirin, K.A. Bertness, T.E. Harvey, K.D. Cobry, J. Vac. Sci. Technol. B, 27, 1072 (2009). DOI: 10.1116/1.3119684
  12. I.I. Novikov, A.V. Babichev, V.E. Bugrov, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, E.S. Kolodeznyi, A.S. Kurochkin, A.V. Savelyev, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov, J. Phys.: Conf. Ser., 929 (1), 012082 (2017). DOI: 10.1088/1742-6596/929/1/012082
  13. W. Tian, D.L. Zhang, X.T. Zheng, R.K. Yang, Y. Liu, L.D. Lu, L.Q. Zhu, Front. Mater., 9, 1050205 (2022). DOI: 10.3389/fmats.2022.1050205
  14. L.G. Parratt, Phys. Rev., 95 (2), 359 (1954). DOI: 10.1103/PhysRev.95.359
  15. L. Nevot, P. Croce, Rev. Phys. Appl., 15 (3), 761 (1980). DOI: 10.1051/rphysap:01980001503076100
  16. M. Bugajski, A. Kolek, G. Ha das, W. Strupinski, I. Pasternak, W. Ko kowski, K. Pierscinski, Photonics, 11 (12), 1195 (2024). DOI: 10.3390/photonics11121195
  17. D. Botez, S. Suri, H. Gao, T. Grange, J.D. Kirch, L.J. Mawst, R.A. Marsland, Photonics, 12 (2), 93 (2025). DOI: 10.3390/photonics12020093
  18. M. Razeghi, Y. Bai, F. Wang, Light Sci. Appl., 14 (1), 252 (2025). DOI: 10.1038/s41377-025-01935-6

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme