Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Регулярные массивы тройных квантовых точек InAs/GaAs в треугольной конфигурации
Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 23-79-10313
Министерство науки и высшего образования РФ, Национальный проект "Молодежь и дети", FENW-2025-0004
Балакирев С.В.
1, Кириченко Д.В.
1, Солодовник Н.Е.
1, Шандыба Н.А.
1, Духан Д.Д.
1, Ерёменко М.М.
1, Солодовник М.С.
1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия 
Email: sbalakirev@sfedu.ru, solodovnikms@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2026 г.
В окончательной редакции: 26 февраля 2026 г.
Принята к печати: 27 февраля 2026 г.
Выставление онлайн: 14 апреля 2026 г.
Впервые представлен подход, позволяющий эпитаксиально выращивать упорядоченные массивы тройных квантовых точек, расположенных в форме треугольника. Предложенный подход заключается в предварительном структурировании подложек GaAs(111)B с использованием комбинации фокусированных ионных пучков и локального капельного травления и последующего осаждения InAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптимизация технологических режимов позволяет достичь высокой селективности и выхода тройных квантовых точек в массиве, а также контролировать расстояние между ними. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, фокусированные ионные пучки, наноструктурирование, квантовые точки. DOI: 10.21883/0000000000
- Y. Qi, J.-H. Wei, Chin. Phys. B, 33 (5), 057301 (2024). DOI: 10.1088/1674-1056/ad2d54
- H. Rahman, I. Khan, S. Yousaf, H. Bibi, S. Ali, H. Ali, S. Haddadi, Phys. Lett. A, 475, 128864 (2023). DOI: 10.1016/j.physleta.2023.128864
- J. Li, S. Dong, J. Wei, Chin. Phys. B, 35 (2), 020302 (2026). DOI: 10.1088/1674-1056/adec5d
- A. Noiri, J. Yoneda, T. Nakajima, T. Otsuka, M.R. Delbecq, K. Takeda, S. Amaha, G. Allison, A. Ludwig, A.D. Wieck, S. Tarucha, Appl. Phys. Lett., 108, 153101 (2016). DOI: 10.1063/1.4945592
- Y. Wang, J. Ding, D. Wang, Eur. Phys. J. D, 74 (9), 190 (2020). DOI: 10.1140/epjd/e2020-100537-x
- J. Li, Y. Qi, Y. Wang, J. Wei, Quantum Inf. Process., 24 (8), 241 (2025). DOI: 10.1007/s11128-025-04856-w
- A. Noiri, K. Kawasaki, T. Otsuka, T. Nakajima, J. Yoneda, S. Amaha, M.R. Delbecq, K. Takeda, G. Allison, A. Ludwig, A.D. Wieck, S. Tarucha, Semicond. Sci. Technol., 32 (8), 084004 (2017). DOI: 10.1088/1361-6641/aa7596
- M. Seo, H.K. Choi, S.-Y. Lee, N. Kim, Y. Chung, H.-S. Sim, V. Umansky, D. Mahalu, Phys. Rev. Lett., 110 (4), 046803 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.046803
- S.W. Jung, T. Fujisawa, Y. Hirayama, Y.H. Jeong, Appl. Phys. Lett., 85 (5), 768 (2004). DOI: 10.1063/1.1777802
- K.D. Zeuner, K.D. Jons, L. Schweickert, C. Reuterskiold Hedlund, C. Nunez Lobato, T. Lettner, K. Wang, S. Gyger, E. Scholl, S. Steinhauer, M. Hammar, V. Zwiller, ACS Photon., 8 (8), 2337 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00504
- S. Csonka, L. Hofstetter, F. Freitag, S. Oberholzer, C. Schonenberger, T.S. Jespersen, M. Aagesen, J. Nygard, Nano Lett., 8 (11), 3932 (2008). DOI: 10.1021/nl802418w
- W. Li, J. Mu, S. Huang, D. Pan, J. Zhao, H.Q. Xu, Appl. Phys. Lett., 117 (26), 262102 (2020). DOI: 10.1063/5.0032832
- E. Zallo, P. Atkinson, L. Wang, A. Rastelli, O.G. Schmidt, Phys. Status Solidi B, 249 (4), 702 (2012). DOI: 10.1002/pssb.201100772
- S.V. Balakirev, N.E. Chernenko, E.A. Lakhina, D.V. Kirichenko, N.A. Shandyba, D.D. Dukhan, M.M. Eremenko, M.S. Solodovnik, Nanotechnol. Russ., 19 (S1), S37 (2024). DOI: 10.1134/S2635167624602341
