Проведен анализ влияния толщины и состава буферных слоев на тепловые свойства гетероструктурных AlGaN/GaN-транзисторов на алмазных подложках. Показано, что, несмотря на гораздо более высокую теплопроводность алмазных подложек, необходимость использования более толстых буферных слоев, чем в случае подложек из карбида кремния, в частности слоя AlGaN толщиной порядка десятых долей микрометра, может при существенном уменьшении средней температуры транзистора приводить практически к тем же температурам перегрева активной области прибора. Ключевые слова: GaN полевой транзистор, температура канала, алмазная подложка.