Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 10 » Статья стр. 15
<<<>>>
Анализ буферных структур (Al)GaAs/Si с использованием фотолюминесцентных измерений
Слипченко С.О.1, Шамахов В.В.1, Николаев Д.Н.1, Фомин Е.В.1, Кондратов М.И.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: serghpl@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, Dim@mail.ioffe.ru, Evfomin@mail.ioffe.ru, Mikondratov@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 23 января 2026 г.
Принята к печати: 2 февраля 2026 г.
Выставление онлайн: 31 марта 2026 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si выращены фотолюминесцентные структуры (Al)GaAs. Показано, что внесение в буферный слой GaAs вставок из объемных слоев AlGaAs или сверхрешеток AlGaAs/GaAs ухудшает среднеквадратичную шероховатость поверхности и интенсивность фотолюминесценции по сравнению со случаем буфера GaAs без таких вставок. На основе данных фотолюминесценции проведена оценка остаточных напряжений в структуре. Показано, что использование вставок с AlGaAs в буферном слое GaAs увеличивает остаточные напряжения в структуре. Ключевые слова: газофазная эпитаксия, буферные слои, подложка кремния, фотолюминесценция, остаточные деформации.
  1. J. Yang, Z. Liu, P. Jurczak, M. Tang, K. Li, S. Pan, A. Sanchez, R. Beanland, J.-C. Zhang, H. Wang, J. Phys. D, 54 (3), 035103 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb49
  2. M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, V.G. Dorogan, M. Benamara, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, A. Seeds, H. Liu, Opt. Express, 22 (10), 11528 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.011528
  3. M.O. Petrushkov, D.S. Abramkin, E.A. Emelyanov, M.A. Putyato, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.V. Vasev, M.Y. Yesin, A.K. Bakarov, I.D. Loshkarev, A.K. Gutakovskii, V.V. Atuchin, V.V. Preobrazhenskii, Nanomaterials, 12 (24), 4449 (2022). DOI: 10.3390/nano12244449
  4. H. Kim, D.-M. Geum, Y.-H. Ko, W.-S. Han, Nanoscale Res. Lett., 17, 126 (2022). DOI: 10.1186/s11671-022-03762-9
  5. С.О. Слипченко, В.В. Шамахов, М.И. Кондратов, Е.В. Фомин,Д.Н. Николаев, А.В. Мясоедов, Н.А. Берт, Н.А. Пихтин, Письма в ЖТФ, 52 (7), 48 (2026). DOI: 10.61011/PJTF.2026.07.62523.20553
  6. H. Jifang, S. Xiangjun, L. Mifeng, Z. Yan, C. Xiuying, N. Haiqiao, X. Yingqiang, N. Zhichuan, J. Semicond., 32 (4), 043004 (2011). DOI: 10.1088/1674-4926/32/4/043004
  7. Y.-L. Tsai, H.-H. Yang, J.-H. Fang, C.-L. Chang, M.-H. Chen, C.-H. Wu, H.-F. Hong, Thin Solid Films, 733, 138817 (2021). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138817
  8. G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague, J. Appl. Phys., 66 (1), 196 (1989). DOI: 10.1063/1.343904
  9. C.G. Van de Walle, Phys. Rev. B, 39 (3), 1871 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1871
  10. M.P.C.M. Krijn, Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991). DOI: 10.1088/0268-1242/6/1/005

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme