Методом динамической эмиссионной терагерцевой спектроскопии с субпикосекундным разрешением исследована динамика фотовозбужденных носителей в i-слое p-i-n-диода. В зависимости от интенсивности фотовозбуждения и напряженности электрического поля экранирование электрического поля в обедненной i-области может происходить как в баллистическом, так и в диффузионно-дрейфовом режиме. Медленная стадия экранирования электрического поля обусловлена процессами переноса фотовозбужденных электронов через обедненный i-слой и ухода их в n-область. Динамику восстановления электрического поля в обедненной области p-i-n-диода определяет дрейф дырок после ухода электронов из i-слоя, а также перезарядка емкости p-i-n-диода через внешнюю цепь и релаксация носителей заряда, захваченных в процессе дрейфа на глубокие примесные уровни в GaAs. Ключевые слова: терагерцевое излучение, p-i-n-диод, динамика, экранирование.