Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 18
<<<>>>
Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GaPN(As) на подложках кремния
Российский научный фонд, 23-79-00032
Никитина Е.В.1,2, Кавеев А.К.1, Федоров В.В.2, Синицкая О.А.2, Хруль С.Н.2, Яковлев Г.Е.3, Гудковских А.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: mail.nikitina@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2025 г.
Принята к печати: 11 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 10 марта 2026 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств p-i-n-гетероструктур на основе твердых растворов GaPN и GaPNAs, выращенных на подложках кремния. Исследования вольт-амперных характеристик и спектров внешней квантовой эффективности продемонстрировали, что структуры на основе четверных твердых растворов GaPNAs обладают большим потенциалом по сравнению с тройными твердыми растворами GaPN, не содержащими мышьяка. Для структур на основе GaPNAs, несмотря на меньшую ширину запрещенной зоны, достигнуто более высокое значение напряжения холостого хода (0.78 V), чем для p-i-n GaPN-гетероструктур, что свидетельствует о меньшей концентрации дефектов в слоях GaPNAs. Ключевые слова: разбавленные нитриды, GaPN(As) на кремниевой подложке, p-i-n-гетероструктуры. DOI: 10.21883/0000000000
  1. A. Richter, R. Muller, J. Benick, F. Feldmann,  B. Steinhauser, Ch. Reichel,  A. Fell, M. Bivour, M. Hermle, S.W. Glunz, Nat. Energy,  6, 429 (2021). DOI: 10.1038/s41560-021-00805-w
  2. J.F. Geisz, D.J. Friedman, Semicond. Sci. Technol., 17 (8), 769 (2002). DOI: 10.1088/0268-1242/17/8/305
  3. Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, ФТП, 48 (3), 396 (2014). [D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 48 (3), 381 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614030154]
  4. A. Baranov, A. Gudovskikh, A.Yu. Egorov, D. Kudryashov, S. Le Gall, J.-P. Kleider, J. Appl. Phys., 128, 023105 (2020). DOI: 10.1063/1.5134681
  5. L.N. Dvoretckaia, A.D. Bolshakov, A.M. Mozharov, M.S. Sobolev, D.A. Kirilenko, A.I. Baranov, V.Yu Mikhailovskii, V.V. Neplokh, I.A. Morozov, V.V. Fedorov, I.S. Mukhin, Solar Energy Mater. Solar Cells, 206, 110282 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.110282
  6. A.S. Gudovskikh, A.S. Abramov, A.V. Bobyl, K.S. Zelentsov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, E.I. Terukov, D.L. Orehov, V.N. Verbitskiy, in Proc. of the 28th European Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Paris, France, 2013), p. 2495

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme