Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 6 » Статья стр. 18
<<<>>>
Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
Родиончикова А.Д.1, Дунаевский М.С.1, Гущина Е.В.1, Приображенский С.Ю.1, Лебедев С.П.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.rodionchikovaa@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2025 г.
Принята к печати: 23 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
PDF версия
Предложен метод регистрации фазы для визуализации областей однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC. Продемонстрировано латеральное разрешение метода регистрации фазы на уровне 5-10 nm, что значительно выше, чем у традиционно используемого метода кельвин-зонд-микроскопии. Метод регистрации фазы является однопроходным, что в разы ускоряет процесс получения изображений и снижает риск деградации кончика зонда. Ключевые слова: сканирующая зондовая микроскопия, кельвин-зонд-микроскопия, метод регистрации фазы, графен, двуслойный графен, карбид кремния.
  1. A.R. Urade, I. Lahiri, K.S. Suresh, JOM, 75 (3), 614 (2023). DOI: 10.1007/s11837-022-05505-8
  2. A.A. Lebedev, S.Yu. Davydov, I.A. Eliseyev, A.D. Roenkov, O. Avdeev, S.P. Lebedev, Yu. Makarov, M. Puzyk, S. Klotchenko, A.S. Usikov, Materials, 14 (3), 590 (2021). DOI: 10.3390/ma14030590
  3. S.P. Lebedev, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, E.V. Gushchina, A.A. Lebedev, C --- J. Carbon Res., 9 (3), 62 (2023). DOI: 10.3390/c9030062
  4. A. Zahmatkeshsaredorahi, D.S. Jakob, X. Xu, J. Phys. Chem. C, 128 (24), 10289 (2024). DOI: 10.1021/acs.jpcc.4c01461
  5. TipsNano.ru [Электронный ресурс]. https://tipsnano.ru
  6. M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991). DOI: 10.1063/1.105227
  7. W. Melitz, J. Shen, A.C. Kummel, S. Lee, Surf. Sci. Rep., 66, 1 (2011). DOI: 10.1016/j.surfrep.2010.10.001
  8. D. Ziegler, P. Gava, J. Guttinger, F. Molitor, L. Wirtz, M. Lazzeri, A.M. Saitta, A. Stemmer, F. Mauri, C. Stampfer, Phys. Rev. B, 83, 235434 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.83.235434
  9. K. Bian, C. Gerber, A.J. Heinrich, D.J. Muller, S. Scheuring, Y. Jiang, Nat. Rev. Meth. Primers, 1 (1), 36 (2021). DOI: 10.1038/s43586-021-00033-2
  10. М.С. Дунаевский, Е.В. Гущина, Д.А. Малых, С.П. Лебедев, А.А. Лебедев, Письма в ЖТФ, 49 (4), 24 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54522.19396 [M.S. Dunaevskiy, E.V. Gushchina, D.A. Malykh, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, Tech. Phys. Lett., 49, 238 (2023). DOI: 10.1134/S1063785023900133]

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme