Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 11
<<<>>>
Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si
Санкт-Петербургский научный фонд, Поддержка научных и научно-технических проектов образовательных и научных организаций, расположенных на территории Санкт-Петербурга, выполняемых совместно с организациями Республики Беларусь, 23-РБ-02-08
Российский научный фонд, Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, приоритетного направления деятельности Российского научного фонда «Поддержка молодых ученых», 25-72-00195
Дворецкая Л.Н.1, Можаров А.М.1, Волосатова В.С.1, Федоров В.В.1,2, Кавеев А.К.1,3, Минив Д.В.1, Мухин И.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Liliyabutler@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 августа 2025 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2025 г.
Принята к печати: 24 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2025 г.
PDF версия
Рассматривается светоизлучающее полупроводниковое устройство на основе системы материалов GaP/GaPNAs/GaP, работающее в красно-оранжевом спектральном диапазоне. Представлено численное моделирование растекания тока в рассматриваемой системе материалов, а также экспериментальные данные, демонстрирующие электролюминесценцию в красном диапазоне частот. Показано, что для p-i-n GaP/GaPNAs/GaP-гетероструктуры при формировании приборных светоизлучающих областей не требуется создания разделительных мез, так как область эмиссии света в большей степени ограничивается областью верхнего электрода, что существенно упрощает технологический процесс изготовления светодиодов. Ключевые слова: GaPNAs на Si, GaP на Si, текстурирование GaP(N,As), матричные светодиоды, кремний, полупроводники.
  1. G. Roelkens, L. Liu, D. Liang, R. Jones, A. Fang, B. Koch, J. Bowers, Laser Photon. Rev., 6, 751 (2010). DOI: 10.1002/lpor.200900033
  2. H. Schmid, M.Borg, K. Moselund, L. Gignac, C.M. Breslin, J. Bruley, D. Cutaia, H. Riel, Appl. Phys. Lett., 106 (23), 233101 (2015). DOI: 10.1063/1.4921962
  3. D. Chen, Y.C. Chen, G. Zeng, D.W. Zhang, H.L. Lu, Research, 6, 0047 (2023). DOI: 10.34133/research.0047
  4. U. Koren, S. Margalit, T. Chen, K. Yu, A. Yariv, N. Bar-Chaim, I. Ury, IEEE J. Quantum Electron., 18 (10), 1653 (1982). DOI: 10.1109/JQE.1982.1071397
  5. F. Zubov, M. Maximov, E. Moiseev, A. Vorobyev, A. Mozharov, Y. Berdnikov, N. Kaluzhnyy, S. Mintairov, M. Kulagina, N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov, Opt. Lett., 46 (16), 3853 (2021). DOI: 10.1364/OL.432920
  6. U. Gosele, Q.Y. Tong, Annu. Rev. Mater. Sci., 28 (1), 215 (1998). DOI: 10.1146/annurev.matsci.28.1.215
  7. D. Pasquariello, K. Hjort, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8 (1), 118 (2002). DOI: 10.1109/2944.991407
  8. X. Wu, X. Zhu, S. Wang, X. Tang, T. Lang, V. Belyaev, A. Abduev, A. Kazak, C. Lin, Q. Yan, J. Sun, Materials, 18 (8), 1783 (2025). DOI: 10.3390/ma18081783
  9. J.E. Ryu, S. Park, Y. Park, S.W. Ryu, K. Hwang, H.W. Jang, Adv. Mater., 35 (43), 2204947 (2023). DOI: 10.1002/adma.202204947
  10. R. Kudrawiec, J. Appl. Phys., 105 (6), 063529 (2009). DOI: 10.1063/1.3087781
  11. I.H. Ho, G.B. Stringfellow, J. Cryst. Growth, 178 (1-2), 1 (1997). DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00078-X
  12. A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, A.S. Gudovskikh, A.I. Baranov, M.S. Sobolev, E.V. Pirogov, A.Y. Egorov, Opt. Laser Technol., 129, 106308 (2020). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106308
  13. А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитинa, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров, ФТП, 46 (6), 815 (2012). [A.V. Babichev, V.Yu.Butko, M.S. Sobolev, E.V. Nikitina, N.V. Kryzhanovskaya, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 46 (6), 796 (2012). DOI: 10.1134/S106378261206005X]
  14. A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, E.V. Pirogov, A.S. Gudovskikh, A.I. Baranov, A.M. Mizerov, M.S. Sobolev, J. Phys.: Conf. Ser., 2227 (1), 012021 (2022). DOI: 10.1088/1742-6596/2227/1/012021

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme