Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 1 » Статья стр. 3
>>>
Влияние геометрии на распространение спиновых волн в системе двух волноведущих структур с линейно изменяющейся шириной
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, № FZNS-2023-0012
Губанов В.А.1, Гаранин Ф.Е.1, Огнев А.В.2, Садовников А.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Сахалинский государственный университет, Южно-Сахалинск, Россия
Email: vladmeen@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 18 августа 2025 г.
Принята к печати: 29 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2025 г.
PDF версия
Проведено исследование влияния геометрии на распространение спиновых волн с использованием микромагнитного моделирования в составной структуре волноводов на основе пленки железо-иттриевого граната с линейно изменяющимися ширинами. Показано, что при увеличении расстояния между волноводами с линейно изменяющимися ширинами наблюдается уменьшение частотного диапазона с отсечением высокочастотной области. Структура может использоваться в качестве пространственного и частотного фильтра. Ключевые слова: спиновые волны, магноника, линейное изменение ширины, многопортовая структура, система волноводов.
  1. С.А. Никитов, Д.В. Калябин, И.В. Лисенков, А.Н. Славин, Ю.Н. Барабаненков, С.А. Осокин, А.В. Садовников, Е.Н. Бегинин, М.А. Морозова, Ю.П. Шараевский, Ю.А. Филимонов, Ю.В. Хивинцев, С.Л. Высоцкий, В.К. Сахаров, Е.С. Павлов, УФН, 185 (10), 1099 (2015). DOI: 10.3367/UFNr.0185.201510m.1099 [S.A. Nikitov, D.V. Kalyabin, I.V. Lisenkov, A.N. Slavin, Yu.N. Barabanenkov, S.A. Osokin, A.V. Sadovnikov, E.N. Beginin, M.A. Morozova, Yu.P. Sharaevsky, Yu.A. Filimonov, Yu.V. Khivintsev, S.L. Vysotsky, V.K. Sakharov, E.S. Pavlov, Phys. Usp., 58 (10), 1002 (2015). DOI: 10.3367/UFNe.0185.201510m.1099]
  2. P. Schuddinck, F.M. Bufler, Y. Xiang, A. Farokhnejad, G. Mirabelli, A. Vandooren, B. Chehab, A. Gupta, C. Roda Neve, G. Hellings, J. Ryckaert, in IEEE Symp. on VLSI Technology and Circuits ( VLSI Technology and Circuits) (IEEE, 2022), p. 365. DOI: 10.1109/VLSITechnologyandCir46769.2022.9830492
  3. A. Vandooren, N. Parihar, J. Franco, R. Loo, H. Arimura, R. Rodriguez, F. Sebaai, S. Iacovo, K. Vandersmissen, W. Li, G. Mannaert, D. Radisic, E. Rosseel, A.Y. Hikavyy, A. Jourdain, O. Mourey, G. Gaudin, S. Reboh, L.L. Van-Jodin, G. Besnard, C.R. Neve, B. Nguyen, I.P. Radu, E.D. Litta, N. Horiguchi, in IEEE Symp. on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) (IEEE, 2022), p. 330. DOI: 10.1109/VLSITechnologyandCir46769.2022.9830400
  4. G. Mirabelli, A. Vandooren, C. Roda Neve, V.V. Gonzalez, H. Mertens, A. Farokhnejad, P. Schuddinck, G. Murdoch, S.M. Salahuddin, O. Zografos, L. Ragnarsson, P. Weckx, Z. Tokei, G. Hellings, J. Ryckaert, Proc. SPIE, 12495, 124951K (2023). DOI: 10.1117/12.2656456
  5. V. Demidov, S. Urazhdin, G. de Loubens, O. Klein, V. Cros, A. Anane, S. Demokritov, Phys. Rep., 673, 1 (2017). DOI: 10.1016/j.physrep.2017.01.001
  6. V. Cherepanov, I. Kolokolov, V. L'vov, Phys. Rep., 229 (3), 81 (1993). DOI: 10.1016/0370-1573(93)90107-O
  7. S.L. Vysotsky, Yu.V. Khivintsev, V.K. Sakharov, G. Dudko, A. Kozhevnikov, S.A. Nikitov, N.N. Novitskii, A.I. Stognij, Yu.A. Filimonov, IEEE Magn. Lett., 8, 3706104 (2017). DOI: 10.1109/LMAG.2017.2701787
  8. S. Sharko, A. Serokurova, N. Novitskii, V. Ketsko, A. Stognij, Ceramics, 6, 1415 (2023). DOI: 10.3390/ceramics6030087
  9. C. Hauser, T. Richter, N. Homonnay, C. Eisenschmidt, M. Qaid, H. Deniz, D. Hesse, M. Sawicki, S.G. Ebbinghaus, G. Schmidt, Sci. Rep., 6, 20827 (2016). 8.29 DOI: 10.1038/srep20827
  10. A.V. Sadovnikov, C.S. Davies, V.V. Kruglyak, D.V. Romanenko, S.V. Grishin, E.N. Beginin, Y.P. Sharaevskii, S.A. Nikitov, Phys. Rev. B, 96, 060401 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.96.060401
  11. A.A. Martyshkin, C.S. Davies, A.V. Sadovnikov, Phys. Rev. Appl., 18, 064093 (2022). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.18.064093
  12. A.V. Sadovnikov, V.A. Gubanov, S.E. Sheshukova, Y.P. Sharaevskii, S.A. Nikitov, Phys. Rev. Appl., 9, 051002 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.9.051002
  13. V.E. Demidov, M.P. Kostylev, K. Rott, J. Munchenberger, G. Reiss, S.O. Demokritov, Appl. Phys. Lett., 99, 082507 (2011). DOI: 10.1063/1.3631756
  14. D.V. Kalyabin, A.V. Sadovnikov, E.N. Beginin, S.A. Nikitov, J. Appl. Phys., 126, 17 (2019). DOI: 10.1063/1.5099358
  15. A. Annenkov, S.V. Gerus, J. Commun. Technol. Electron., 41, 196 (1996)
  16. A. Vansteenkiste, J. Leliaert, M. Dvornik, M. Helsen, F. Garcia-Sanchez, B.V. Waeyenberge, AIP Adv., 4, 107133 (2014). DOI: 10.1063/1.4899186
  17. L. Landau, E. Lifshitz, Phys. Z. Sow., 8, 153 (1935). DOI: 10.1016/b978-0-08-010586-4.50023-7
  18. T.L. Gilbert, J.M. Kelly, in Conf. Magnetism and Magnetic Materials (American Institute of Electrical Engineers, N.Y., 1955), p. 253--263
  19. М.А. Морозова, Н.Д. Лобанов, О.В. Матвеев, С.А. Никитов, Письма в ЖЭТФ, 115 (12), 793 (2022). DOI: 10.31857/S1234567822120072 [M.A. Morozova, N.D. Lobanov, O.V. Matveev, S.A. Nikitov, JETP Lett., 115 (12), 742 (2022). DOI: 10.1134/S0021364022600963].

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme