Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 13 » Статья стр. 44
<<<>>>
Спектроскопия ван-дер-ваальсовых структур на основе дихалькогенида переходного металла WS2
РНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс) , 24-22-20059
СПбНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс) , 24-22-20059
Белова Д.Д.1,2, Зедоми Т.Э.1, Котова Л.В.1,2, Кочерешко В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
Email: kotova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 3 апреля 2025 г.
Принята к печати: 8 апреля 2025 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2025 г.
PDF версия
Исследованы спектры низкотемпературной фотолюминесценции и отражения света от тонких слоев (вплоть до монослоев) WS2 на подложках из окисленного кремния. В спектрах отражения наблюдалась богатая интерференционная структура. Путем сравнения спектров отражения от подложки SiO2/Si и от WS2 по известному показателю преломления света определены толщины этих слоев. Установлено, что большая часть линий в спектрах отражения связана со слоем Si/SiO2. В спектрах фотолюминесценции и спектрах отражения от WS2 наблюдалась серия линий, которые ранее приписывались основному и возбужденным состояниям экситона. Установлено, что эти линии связаны с интерференцией света вблизи экситонного резонанса в WS2 на энергии 2.15 eV. Ключевые слова: спектроскопия, дихалькогениды переходных металлов, экситоны.
  1. A.D. McAulay, Optical computer architectures. The application of optical concepts to next generation computers (John Wiley \& Sons, N.Y. 1991)
  2. W.A.A. Mohamed, H. Abd El-Gawad, S. Mekkey, H. Galal, H. Handal, H. Mousa, A. Labib, Nanotechnol. Rev., 10 (1), 1926 (2021). DOI: 10.1515/ntrev-2021-0118
  3. A.L. Efros, L.E. Brus, ACS Nano, 15 (4), 6192 (2021). DOI: 10.1021/acsnano.1c01399
  4. M. Koperski, M.R. Molas, A. Arora, K. Nogajewski, A.O. Slobodeniuk, C. Faugeras, M. Potemski, Nanophotonics, 6 (6), 1289 (2017). DOI: 10.1515/nanoph-2016-0165
  5. A. Chaves, J.G. Azadani, H. Alsalman, D.R. da Costa, R. Frisenda, A.J. Chaves, S.H. Song, Y.D. Kim, D. He, J. Zhou, A. Castellanos-Gomez, F.M. Peeters, Z. Liu, C.L. Hinkle, S.-H. Oh, P.D. Ye, S.J. Koester, Y.H. Lee, P. Avouris, X. Wang, T. Low, npj 2D Mater. Appl., 4, 29 (2020). DOI: 10.1038/s41699-020-00162-4
  6. C. Palacios-Berraquero, D.M. Kara, A.R.-P. Montblanch, M. Barbone, P. Latawiec, D. Yoon, A.K. Ott, M. Loncar, A.C. Ferrari, M. Atature, Nat. Commun., 8, 15093 (2017). DOI: 10.1038/ncomms15093
  7. P. Moon, M. Koshino, Phys. Rev. B, 90, 155406 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.90.155406
  8. C. Ronning, A.D. Banks, B.L. McCarson, R. Schlesser, Z. Sitar, R.F. Davis, B.L. Ward, R.J. Nemanich, Appl. Phys., 84, 5046 (1998). DOI: 10.1063/1.368752
  9. A.K. Geim, I.V. Grigorieva, Nature, 499, 419 (2013). DOI: 10.1038/nature12385
  10. М.В. Дурнев, М.М. Глазов, УФН, 188 (9), 913 (2018). DOI: 10.3367/UFNr.2017.07.038172 [M.V. Durnev, M.M. Glazov, Phys. Usp., 61 (9), 825 (2018). DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172]
  11. G. Wang, A. Chernikov, M.M. Glazov, T.F. Heinz, X. Marie, T. Amand, B. Urbaszek, Rev. Mod. Phys., 90, 021001 (2018). DOI: 10.1103/RevModPhys.90.021001
  12. Z. Dong, H. Xu, F. Liang, C. Luo, C. Wang, Z.-Y. Cao, X.-J. Chen, J. Zhang, X. Wu, Molecules, 24, 88 (2019). DOI: 10.3390/molecules24010088
  13. L.V. Kotova, M.V. Rakhlin, A.I. Galimov, I.A. Eliseyev, B.R. Borodin, A.V. Platonov, D.A. Kirilenko, A.V. Poshakinskiy, T.V. Shubina, Nanoscale, 13, 17566 (2021). DOI: 10.1039/D1NR05439B
  14. E. Liu, J. van Baren, Z. Lu, T. Taniguchi, K. Watanabe, D. Smirnov, Y.-C. Chang, C.H. Lui, Nat. Commun., 12, 6131 (2021). DOI: 10.1038/s41467-021-26304-w
  15. Л.В. Котова, М.В. Рахлин, А.И. Галимов, А.В. Пошакинский, А.В. Платонов, Т.В. Шубина, в сб. Материалы XXVI Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2022), т. 2, с. 860--861
  16. Y. Yu, Y. Yu, L. Huang, H. Peng, L. Xiong, L. Cao, Nano Lett., 17, 3613 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00768
  17. P.K. Nayak, C.-H. Yeh, Y.-C. Chen, P.-W. Chiu, ACS Appl. Mater. Interfaces, 6, 160206 (2014). DOI: 10.1021/am5039483
  18. Yu.V. Morozov, M. Kuno, Appl. Phys. Lett., 107, 083103 (2015). DOI: 10.1063/1.4929700
  19. H.M. Hill, A.F. Rigosi, C. Roquelet, A. Chernikov, T.C. Berkelbach, D.R. Reichman, M.S. Hybertsen, L.E. Brus, T.F. Heinz, Nano Lett., 15, 2992 (2015). DOI: 10.1021/nl504868p
  20. L. Canham, Roy. Soc. Chem., 222, 10 (2022). DOI: 10.1039/D0FD00018C

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme