Вышедшие номера
Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
Российский научный фонд (РНФ), Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня, 23-79-00032
Никитина Е.В. 1,2, Пирогов Е.В. 1, Кавеев А.К. 2, Федоров В.В. 1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mail.nikitina@mail.ru, zzzavr@gmail.com, kaveev@mail.ioffe.ru, burunduk.uk@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 11 января 2025 г.
Принята к печати: 27 января 2025 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2025 г.

Проведены сравнительные исследования влияния буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния. Исследованы структуры с GaP-буфером, выращенным с использованием метода "эпитаксии с повышенным темпом миграции" (MEE-GaP-буфер), и низкотемпературным GaP-буфером с плавно увеличивающейся температурой роста. Показано,что интенсивность фотолюминесценции для структур с MEE-GaP и оптимизированным GaP-буфером практически одинакова, однако релаксация напряжений происходит по-разному. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка.