Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 10 » Статья стр. 7
<<<>>>
Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
Российский научный фонд (РНФ), Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня, 23-79-00032
Никитина Е.В. 1,2, Пирогов Е.В. 1, Кавеев А.К. 2, Федоров В.В. 1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mail.nikitina@mail.ru, zzzavr@gmail.com, kaveev@mail.ioffe.ru, burunduk.uk@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 11 января 2025 г.
Принята к печати: 27 января 2025 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2025 г.
PDF версия
Проведены сравнительные исследования влияния буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния. Исследованы структуры с GaP-буфером, выращенным с использованием метода "эпитаксии с повышенным темпом миграции" (MEE-GaP-буфер), и низкотемпературным GaP-буфером с плавно увеличивающейся температурой роста. Показано,что интенсивность фотолюминесценции для структур с MEE-GaP и оптимизированным GaP-буфером практически одинакова, однако релаксация напряжений происходит по-разному. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка.
  1. K. Yoshikawa, W. Yoshida, T. Irie, H. Kawasaki, K. Konishi, H. Ishibashi, T. Asatani, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Solar Energy Mater. Solar Cells,  173, 37 (2017). DOI: /10.1016/j.solmat.2017.06.024
  2. M.A. Green, E.D. Dunlop, M. Yoshita, N. Kopidakis, K. Bothe, G. Siefer, X. Hao, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 32, 3 (2024). DOI: 10.1002/pip.3750  
  3. J.F. Geisz, D.J. Friedman, Semicond. Sci. Technol., 17, 769 (2002). DOI: S0268-1242(02)37904-5
  4. R. Kudrawiec, J. Appl. Phys., 101 (11), 116101 (2007) DOI: 10.1063/1.2736618
  5. Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, ФТП, 48 (3), 396 (2014). [D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 48, 381 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614030154]
  6. Y. Takagi, H Yonezu, K. Samonji, N. Ohshima, J. Cryst. Growth, 187 (1), 42 (1998) DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00862-2
  7. В.В. Федоров, С.В. Федина, А.К. Кавеев, Д.А. Кириленко, Н.Н. Фалеев, И.С. Мухин, Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 17 (2), 120 (2024). DOI: 10.18721/ JPM.17209
  8. G.A. Sapunov, O.Yu. Koval, V.V. Fedorov, A.D. Bolshakov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012127 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012127
  9. М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров, ФТП, 49 (4), 569 (2015). [M.S. Sobolev,  A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, E.V. Pirogov, A.S. Gudovskikh, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 49, 559 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615040235]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme