Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
Российский научный фонд (РНФ), Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня, 23-79-00032
Никитина Е.В.
1,2, Пирогов Е.В.
1, Кавеев А.К.
2, Федоров В.В.
1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mail.nikitina@mail.ru, zzzavr@gmail.com, kaveev@mail.ioffe.ru, burunduk.uk@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 11 января 2025 г.
Принята к печати: 27 января 2025 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2025 г.
Проведены сравнительные исследования влияния буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния. Исследованы структуры с GaP-буфером, выращенным с использованием метода "эпитаксии с повышенным темпом миграции" (MEE-GaP-буфер), и низкотемпературным GaP-буфером с плавно увеличивающейся температурой роста. Показано,что интенсивность фотолюминесценции для структур с MEE-GaP и оптимизированным GaP-буфером практически одинакова, однако релаксация напряжений происходит по-разному. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка.
- K. Yoshikawa, W. Yoshida, T. Irie, H. Kawasaki, K. Konishi, H. Ishibashi, T. Asatani, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Solar Energy Mater. Solar Cells, 173, 37 (2017). DOI: /10.1016/j.solmat.2017.06.024
- M.A. Green, E.D. Dunlop, M. Yoshita, N. Kopidakis, K. Bothe, G. Siefer, X. Hao, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 32, 3 (2024). DOI: 10.1002/pip.3750
- J.F. Geisz, D.J. Friedman, Semicond. Sci. Technol., 17, 769 (2002). DOI: S0268-1242(02)37904-5
- R. Kudrawiec, J. Appl. Phys., 101 (11), 116101 (2007) DOI: 10.1063/1.2736618
- Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, ФТП, 48 (3), 396 (2014). [D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 48, 381 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614030154]
- Y. Takagi, H Yonezu, K. Samonji, N. Ohshima, J. Cryst. Growth, 187 (1), 42 (1998) DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00862-2
- В.В. Федоров, С.В. Федина, А.К. Кавеев, Д.А. Кириленко, Н.Н. Фалеев, И.С. Мухин, Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 17 (2), 120 (2024). DOI: 10.18721/ JPM.17209
- G.A. Sapunov, O.Yu. Koval, V.V. Fedorov, A.D. Bolshakov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012127 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012127
- М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров, ФТП, 49 (4), 569 (2015). [M.S. Sobolev, A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, E.V. Pirogov, A.S. Gudovskikh, A.Yu. Egorov, Semiconductors, 49, 559 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615040235]
