Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 8 » Статья стр. 7
<<<>>>
Магниторезистивный эффект на переменном токе в устройстве на основе структуры кремний на изоляторе
Работа выполнена в рамках научной тематики госзадания Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН.
Смоляков Д.А.1, Рауцкий М.В.1, Тарасов А.С.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: sda88@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 10 декабря 2024 г.
Принята к печати: 12 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 16 апреля 2025 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований структуры кремний на изоляторе Fe/Si/SiO 2/p-Si и изготовленного на ее основе простейшего устройства в виде сдвоенного диода Шоттки. Обнаружено влияние внешнего магнитного поля. Получены значения магнитосопротивления на переменном токе до 500 % в поле 1.5 T и до 3500 % в поле 9 T. Данный эффект объясняется наличием примесных состояний на интерфейсе диэлектрик/полупроводник и процессом их перезарядки. Определены энергии данных состояний. Ключевые слова: магнитосопротивление, структуры кремний на изоляторе, диод Шоттки, магнитное поле, примесные состояния.
  1. J.Y. Lin, J.G. Hwu, IEEE Trans. Electron. Dev., 68 (9), 4189 (2021). DOI: 10.1109/TED.2021.3095052
  2. Z. Zhen, Q. Wang, Y. Qin, C. Chen, J. Xu, L. Jiang, H. Xiao, Q. Wang, X. Wang, C. Feng, Phys. Status Solidi A, 219 (10), 2200010 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202200010
  3. A. Rizzo, U. Dave, A. Novick, A. Freitas, S.P. Roberts, A. James, M. Lipson, K. Bergman, Opt. Lett., 48 (2), 215 (2023). DOI: 10.1364/OL.476873
  4. V. Generalov, A. Cheremiskina, A. Glukhov, V. Grabezhova, M. Kruchinina, A. Safatov, Sensors, 23 (17), 7490 (2023). DOI: 10.3390/s23177490
  5. В.Н. Мордкович, К.К. Абгарян, Д.Л. Ревизников, А.В. Леонов, Изв. вузов. Материалы электронной техники, 23 (2), 109 (2020). DOI: 10.17073/1609-3577-2020-2-109-115
  6. A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986). DOI: 10.1149/1.2108651
  7. A.R. Peaker, V.P. Markevich, J. Coutinho, J. Appl. Phys., 123 (16), 161559 (2018). DOI: 10.1063/1.5011327
  8. D.A. Smolyakov, A.S. Tarasov, I.A. Yakovlev, M.N. Volochaev, Semiconductors, 53 (14), 1964 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619140215
  9. E. Prati, K. Kumagai, M. Hori, Sci. Rep., 6, 19704 (2016). DOI: 10.1038/srep19704
  10. D.L. Losee, J. Appl. Phys., 46 (5), 2204 (1975). DOI: 10.1063/1.321865
  11. S.M. Sze, Y. Li, K.N. Kwok, Physics of semiconductor devices (John Wiley \& Sons, 2007)
  12. Д.А. Смоляков, М.В. Рауцкий, И.А. Бондарев, И.А. Яковлев, С.Г. Овчинников, Н.В. Волков, А.С. Тарасов, ЖЭТФ, 162 (3), 432 (2022). DOI: 10.31857/S0044451022090176 [D.A. Smolyakov, M.V. Rautskii, I.A. Bondarev, I.A. Yakovlev, S.G. Ovchinnikov, N.V. Volkov, A.S. Tarasov, JETP, 135 (3), 377 (2022). DOI: 10.1134/S1063776122090102]

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme