Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 8 » Статья стр. 3
>>>
Электролюминесценция центров окраски германий--вакансия в алмазном p--i--n-диоде
Russian science foundation, 22-12-00309
The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, Center of Excellence «Center of Photonics», 075-15-2022-316
FRC Kazan Scientific Center RAS
Лобаев М.А. 1, Радищев Д.Б.1, Вихарев А.Л.1, Горбачев А.М.1, Богданов С.А. 1, Исаев В.А.1, Кукушкин В.А.1, Краев С.А.1, Охапкин А.И.1, Архипова Е.А.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1, Хайбуллин Р.И. 2
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: lobaev@ipfran.ru, bogser@ipfran.ru, rikkfti@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 4 декабря 2024 г.
Принята к печати: 8 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 16 апреля 2025 г.
PDF версия
Впервые продемонстрирована электролюминесценция центров окраски германий-вакансия (GeV-центров) в алмазном p-i-n-диоде. Для создания центров окраски во внутренней области диода создавался слой, имплантированный ионами германия. В спектре излучения обнаружена узкая линия на длине волны 602.9 nm, соответствующая излучению центра окраски германий-вакансия в отрицательном зарядовом состоянии. Проведено сравнение спектров электролюминесценции центров окраски германий-вакансия и кремний-вакансия. Ключевые слова: CVD-алмаз, p-i-n-диод, центры окраски, электролюминесценция.
  1. V. Giovannetti, S. Lloyd, L. Maccone, Nat. Photon., 5, 222 (2011). DOI: 10.1038/nphoton.2011.35
  2. M. Gimeno-Segovia, P. Shadbolt, D.E. Browne, T. Rudolph, Phys. Rev. Lett., 115, 020502 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevLett.115.020502
  3. A. Aspuru-Guzik, P. Walther, Nat. Phys., 8, 285 (2012). DOI: 10.1038/NPHYS2253
  4. N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden, Rev. Mod. Phys., 74, 145 (2002). DOI: 10.1103/RevModPhys.74.145
  5. P. Senellart, Photoniques, 107, 40 (2021). DOI: 10.1051/photon/202110740
  6. M. Ruf, N.H. Wan, H. Choi, D. Englund, R. Hanson, J. Appl. Phys., 130, 070901 (2021). DOI: 10.1063/5.0056534
  7. C. Bradac, W. Gao, J. Forneris, M.E. Trusheim, I. Aharonovich, Nat. Commun., 10, 5625 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-13332-w
  8. D.Yu. Fedyanin, M. Agio, New J. Phys., 18, 073012 (2016). DOI: 10.1088/1367-2630/18/7/073012
  9. M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov, Appl. Phys. Lett., 123, 251116 (2023). DOI: 10.1063/5.0178908
  10. М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, В.Е. Демидов, М.Н. Дроздов, Р.И. Хайбуллин, в сб. Тр. XXVIII Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2024), т. 2, с. 1001
  11. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler, Phys. Status Solidi RRL, 10, 324 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201510453
  12. U. Wahl, J. Guilherme Correia, A. Costa, A. Lamelas, V. Amaral, K. Johnston, G. Magchiels, S. Malven Tunhuma, A. Vantomme, L.M.C. Pereira, Mater. Quantum Technol., 4, 025101 (2024). DOI: 10.1088/2633-4356/ad4b8d

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme