Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 6 » Статья стр. 57
<<<
Полевая электронная эмиссия из композитного слоя углеродных нанотрубок с аминокислотой
Цыбин О.Ю. 1, Баранов М.А. 1, Попов М.Е. 1,2, Филиппов С.В. 2, Колосько А.Г. 2, Попов Е.О. 2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: oleg.tsybin@gmail.com, baranovma1993@gmail.com, popov_me@spbstu.ru, f_s_v@list.ru, agkolosko@mail.ru, e.popov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 20 ноября 2024 г.
Принята к печати: 27 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2025 г.
PDF версия
Представлено исследование полевых эмиссионных свойств нового нанокомпозитного материала на основе смеси углеродных нанотрубок и органического вещества (аминокислоты валина). На поверхности тонкого слоя композита, покрывающего электропроводящий металлический катод, экспериментально выявлена развитая сеть активных центров электронной эмиссии. Кроме обеспечения автоэлектронных эмиссионных свойств поверхности композита валин обеспечивал высокую адгезию и прочность нанокомпозитного покрытия. Ключевые слова: электронная полевая эмиссия, углеродные нанотрубки, аминокислота, валин.
  1. J. Wang, Electroanalysis, 17(1), 7 (2005). DOI: 10.1002/elan.200403113
  2. J.R. Siqueira, L. Caseli, F.N. Crespilho, V. Zucolotto, O.N. Oliveira, Biosens. Bioelectron., 25 (6), 1254 (2010). DOI: 10.1016/j.bios.2009.09.043
  3. W. Putzbach, N.J. Ronkainen, Sensors, 13 (4), 4811 (2013). DOI: 10.3390/s130404811
  4. L. Ma, H.L. Zhuang, S. Wei, K.E. Hendrickson, M.S. Kim, G. Cohn, R.G. Hennig, L.A. Archer, ACS Nano, 10 (1), 1050 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.5b06373
  5. R. Yadav, K. Kumar, P. Venkatesu, in Handbook of сarbon nanotubes, ed. by J. Abraham, S. Thomas, N. Kalarikkal (Springer, Cham, 2021). DOI: 10.1007/978-3-319-70614-6_65-1
  6. R.G. Forbes, Solid-State Electron., 45 (6), 779 (2001). DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00208-2
  7. H.M. Oh, J.H. Ryu, N.Y. Bae, E.H. Lee, A.N. Ha, W.M. Bae, J. Jang, K.C. Park, in Int. Vacuum Nanoelectronics Conf. (IEEE, 2010), p. 127--128. DOI: 10.1109/IVNC.2010.5563137
  8. S. Srividya, S. Gautam, P. Jha, P. Kumar, A. Kumar, U.S. Ojha, J.S.B.S. Rawat, S. Pal, P.K. Chaudhary, Harsh, R.K. Sinha, Appl. Surf. Sci., 256 (11), 3563 (2010). DOI: 10.1016/j.apsusc.2009.12.155
  9. A. Kumar, V.L. Pushparaj, S. Kar, O. Nalamasu, P.M. Ajayan, R. Baskaran, Appl. Phys. Lett., 89 (16), 163120 (2006). DOI: 10.1063/1.2356899
  10. Y.J. Jung, S. Kar, S. Talapatra, C. Soldano, G. Viswanathan, X. Li, Z. Yao, F.S. Ou, A. Avadhanula, R. Vajtai, S. Curran, O. Nalamasu, P.M. Ajayan, Nano Lett., 6 (3), 413 (2006). DOI: 10.1021/nl052238x
  11. H. Jung, S.Y. An, D.M. Jang, J.M. Kim, J.Y. Park, D. Kim, Carbon, 50 (3), 987 (2012). DOI: 10.1016/j.carbon.2011.10.001
  12. L.T. Cheng, M. Zheng, W. Mahler, D. Roach, A. Fennimore, G. Reynolds, I.H. Kim, C.S. Lee, H.S. Kim, SID Symp. Digest Tech. Papers, 39 (1), 155 (2008). DOI: 10.1889/1.3069457
  13. P. Wilhite, A.A. Vyas, J. Tan, J. Tan, T. Yamada, P. Wang, J. Park, C.Y. Yang, Semicond. Sci. Technol., 29 (5), 054006 (2014). DOI: 10.1088/0268-1242/29/5/054006
  14. F. Banhart, Nanoscale, 1 (2), 201 (2009). DOI: 10.1039/B9NR00127A
  15. S.Y. Yew, G. Shekhawat, N. Wangoo, S. Mhaisalkar, C.R. Suri, V.P. Dravid, Y.M. Lam, C.R. Suri, V.P. Dravid, Y.M. Lam, Nanotechnology,   22 (21), 215606 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/21/215606
  16. I. Ron, L. Sepunaru, S. Itzhakov, T. Belenkova, N. Friedman, I. Pecht, M. Sheves, D. Cahen, J. Am. Chem. Soc.,  132 (12), 4131 (2010). DOI: 10.1021/ja907328r
  17. E.O. Popov, A.G. Kolosko, S.V. Filippov, E.I. Terukov, R.M. Ryazanov, E.P. Kitsyuk, J. Vac. Sci. Technol. B, 38 (4), 043203 (2020). DOI: 10.1116/6.0000072
  18. A.G. Kolosko, E.O. Popov, S.V. Filippov, Y. Gotoh, J. Vac. Sci. Technol. B, 37 (3), 031803 (2019). DOI: 10.1116/1.5090461
  19. A.G. Kolosko, S.V. Filippov, P.A. Romanov, E.O. Popov, R.G. Forbes, J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (4), 041802 (2016). DOI: 10.1116/1.4946834
  20. V. Barone, J.E. Peralta, J. Uddin, G.E. Scuseria, J. Сhem. Phys., 124 (2), 024709 (2006). DOI: 10.1063/1.2150213
  21. A.N. Zavilopulo, A.I. Bulhakova, S.S. Demes, E.Yu. Remeta, A.V. Vasiliev, Eur. Phys. J. D, 75, 287 (2021). DOI: 10.1140/epjd/s10053-021-00294-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme