Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 4 » Статья стр. 11
<<<>>>
Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
РНФ, 24-22-00232
Мясоедов А.В.1, Мынбаева М.Г. 1, Лебедев С.П. 1, Приображенский С.Ю. 1, Амельчук Д.Г. 1, Лебедев А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com, mgm@mail.ioffe.ru, Lebedev.Sergey@mail.ioffe.ru, Sergei.Prioby@mail.ioffe.ru, Amelchuk.Dmitriy@mail.ioffe.ru, Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2024 г.
Принята к печати: 14 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 26 февраля 2025 г.
PDF версия
Рассматриваются особенности кристаллизации связывающего слоя кремния между слоем кубического карбида кремния с ориентацией (001) и гексагональной (0001) 6H-SiC-подложкой. Обсуждаются общие закономерности, выявленные при формировании ориентационных соотношений для слоя кремния относительно слоя 3C-SiC и подложки 6H-SiC. Ключевые слова: карбид кремния, кремний, просвечивающая электронная микроскопия.
  1. X. She, A.Q. Huang, O. Lucia, B. Ozpineci, IEEE Trans. Ind. Electron., 64 (10), 8193 (2017). DOI: 10.1109/TIE.2017.2652401
  2. F. Li, F. Roccaforte, G. Greco, P. Fiorenza, F. La Via, A. Perez-Tomas, J.E. Evans, C.A. Fisher, F.A. Monaghan, P.A. Mawby, M. Jennings, Materials, 14 (19), 5831 (2021). DOI: 10.3390/ma14195831
  3. K. Seki, Alexander, S. Kozawa, T. Ujihara, P. Chaudouet, D. Chaussende, Y. Takeda, J. Cryst. Growth, 335 (1), 94 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.004
  4. R. Vasiliauskas, P. Malinovskis, A. Mekys, M. Syvajarvi, J. Storasta, R. Yakimova, Mater. Sci. Forum, 740-742, 335 (2013). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.335
  5. R. Vasiliauskas, M. Marinova, M. Syvajarvi, E.K. Polychroniadis, R. Yakimova, J. Cryst. Growth, 395, 109 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.03.021
  6. H.S. Kong, B.L. Jiang, J.T. Glass, G.A. Rozgonyi, K.L. More, J. Appl. Phys., 63 (8), 2645 (1988). DOI: 10.1063/1.341004
  7. F. La Via, A. Severino, R. Anzalone, C. Bongiorno, G. Litrico, M. Mauceri, M. Schoeler, P. Schuh, P. Wellmann, Mater. Sci. Semicond. Process., 78, 57 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.12.012
  8. P. Schuh, M. Arzig, G. Litrico, F. La Via, M. Mauceri, P.J. Wellmann, Phys. Status Solidi A, 214 (4), 1600429 (2017). DOI: 10.1002/pssa.201600429
  9. М.Г. Мынбаева, Д.Г. Амельчук, А.Н. Смирнов, И.П. Никитина, С.П. Лебедев, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, ФТП, 56 (11), 1094 (2022). DOI: 10.21883/ftp.2022.11.54262.9953 [M.G. Mynbaeva, D.G. Amelchuk, A.N. Smirnov, I.P. Nikitina, S.P. Lebedev, V.Yu. Davydov, A.A. Lebedev, Semiconductors, 56 (11), 872 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.11.54965.9953]
  10. M. Le Cunff, F. Rieutord, D. Landru, O. Kononchuk, N. Cherkashin, J. Appl. Phys., 135 (24), 245301 (2024). DOI: 10.1063/5.0205878
  11. T. Yeghoyan, K. Alassaad, V. Souliere, G. Ferro, Mater. Sci. Forum., 897, 87 (2017). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.87
  12. T. Yeghoyan, K. Alassaad, S.R.C. McMitchell, M. Gutierrez, V. Souliere, D. Araujo, G. Ferro, Mater. Sci. Forum., 924, 128 (2018). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.128
  13. T. Nishiguchi, M. Nakamura, K. Nishio, T. Isshiki, S. Nishino, Appl. Phys. Lett., 84 (16), 3082 (2004). DOI: 10.1063/1.1719270

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme